新加坡IGSS GaN Pte Ltd（IGaN）指出，近年来，由于GaN功率和RF器件在各种应用中的采用越来越多，GaN基产品的需求不断增长。该公司开发并商业化了GaN-on-Si/SiC外延晶片和专有的8英寸（200毫米）GaN制造技术，用于功率、RF和传感器应用。GaN基材料的宽禁带可提供显著的击穿电场和高漂移速度，适用于制造大功率和高频器件。

　　由于III型氮化物材料与硅衬底之间存在材料特性差异，给实际应用带来了技术挑战。这样的问题之一是在III型氮化物/硅界面处形成了寄生通道，这会导致寄生损耗，严重降低设备的输出功率、功率增益和效率。对于RF应用，硅上的GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的关键要求是减少AlN/Si界面的传导损耗。由于反应器中Al和Ga残留物的掺杂而使AlN/Si界面变得导电，因此反应器的预处理和硅基板上第一AlN层的生长条件对于抑制传导损耗至关重要。

　　IGaN的技术具有实现极低传导损耗的独特优势，符合用于射频应用的硅基GaN HEMT的行业标准。对于10GHz的工作频率，最近处理的IGaN 150mm硅上GaN HEMT晶片在室温下的传导损耗为0.15dB，在高温下的传导损耗为0.23dB。除了传导损耗测试外，IGaN还实施了一种快速方法，可在晶圆厂加工之前筛选出性能不佳的GaN外延片。如果外延片衬底具有高传导性，则可以避免下游加工晶圆和封装器件的潜在浪费和损失，IGaN表示，高传导损耗外延片的早期检测对于RF GaN器件的批量生产至关重要。

原文题目：

IGaN achieves low conduction loss with GaN-on-Si epi for RF applications 

原文来源：

  http://www.semiconductor-today.com/news_items/2020/oct/igan-261020.shtml