瑞士意法半导体（STMicroelectronics）推出了MasterGaN，是第一个嵌入硅基半桥驱动芯片以及一对氮化镓（GaN）晶体管的平台。这个集成化的解决方案将加速下一代紧凑高效的充电器和电源适配器的开发，并用于高功率电子和工业应用。

　　意法半导体（ST）表示，其MasterGaN方法可缩短了产品上市时间，并确保了预期的性能，同时使封装变得更小、更简单、电路组件更少、系统可靠性更高。据估计，借助GaN技术和ST的集成产品，充电器和适配器将比普通硅基解决方案的尺寸缩小80％，将重量减少70％。

　　MasterGaN平台利用STDRIVE 600V栅极驱动器和GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）。9mm x 9mm的薄型GQFN封装可确保高功率密度，专为高压板和低压板之间的爬电距离超过2mm的高压应用而设计。

　　该系列器件将跨越不同的GaN晶体管尺寸（RDS（ON）），并将以引脚兼容的半桥产品的形式提供，使工程师能够以最小的硬件更改来扩展设计。凭借GaN晶体管的低导通损耗和无体二极管恢复的特性，该产品在高端、高效率拓扑结构中表现了卓越的效率和整体性能增强。

　　意法半导体（ST）推出了具有MasterGaN1的新平台，该平台包含两个GaN功率晶体管，以半桥形式连接，并集成了高端和低端驱动器。具体来说，MasterGaN1包含两个常关晶体管，具有紧密匹配的时序参数，最大额定电流为10A和150mΩ导通电阻（RDS（ON））。逻辑输入与3.3V至15V的信号兼容。还内置了全面的保护功能，包括低端和高端UVLO保护、互锁、专用的停机引脚和过热保护。