美国加利福尼亚大学圣巴巴拉分校（UCSB）的研究人员采用了失配位错（MD）移离阱内量子点有源层，提高了硅基砷化铟量子点激光二极管（InAs QD LD）的性能。

　　错配位错是在从540°C生长温度降温时形成的，而不是在生长过程中。砷化镓（GaAs）和硅的热膨胀差异约为3x10^-6/K，该团队在错配位错和DWELL之间放置了一层薄而无滑行的层，以提高性能。然后，研究人员生产了激光结构，并制成了3μmx1.5mm的脊形波导激光二极管。由于顶层p-GaAs接触层足够厚，足以发生螺纹位错滑动，因此研究人员在用作活性层的五层DWELL上方和下方插入了80nm的陷阱层。

　　两个捕集层中的铟含量相同，但底部捕集层中的镓被铝代替。使用断层扫描技术进行的更深入检查表明，存在陷阱层，也存在一些螺纹位错滑移，根据平面扫描透射电子显微镜（STEM），陷获层使大部分错配位错长度从量子点上移开。

　　陷阱层的存在使光致发光几乎增加了两倍。在电偏压下，带有陷获层的阈值电流也降低了约两倍。捕获层的最低阈值为16mA，比最低基线值降低40％。在基线激光二极管上的中值斜率效率（+60％）和中值峰值单面输出功率（3.4x）中显示了其他改进。在具有陷获层的热翻转之前，中值输入功率为0.85W，而基线为0.46W。

　　该团队认为，与通过将线错位密度从7x10⁷/cm²降低到7x10⁶/cm²所获得的性能相比，捕获层的性能提升具有可比性。由于器件厚度对于许多应用至关重要，因此，使用薄的失配陷获层获得的这些性能增益具有很大的优势。