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国务院印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》
2020-08-07
新华社北京报道，日前国务院印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》（以下简称《若干政策》）。《若干政策》强调，集成电路产业和软件产业是信息产业的核心，是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量。国务院印发《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》《进一步鼓励软件产业和集成电路...
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E型GaN晶体管的转移印刷和自对准蚀刻
2020-07-27
首个晶圆级单片实现的常关、增强型（E型）共源共栅场效应晶体管（FET）在中国西安电子科技大学研制成功，该场效应晶体管由硅（Si）和氮化镓（GaN）组件组成，这些组件通过低成本转移印刷和自对准蚀刻工艺组装而成。研究人员希望他们的技术能实现大规模的集成，将硅、氮化镓和其他材料结合在一起的器件和电路的功能多样化...
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中国本科生首次带着自己设计的处理器芯片毕业
2020-07-27
中国本科生首次带着自己设计的处理器芯片毕业— —中国科学院大学25日公布首期“一生一芯”计划成果：在国内首次以流片为目标，由五位本科生主导完成一款64位RISC-V处理器SoC芯片设计并实现流片。芯片能成功运行Linux操作系统以及学生自己编写的中国科学院大学教学操作系统UCAS-Core 。该校还将充分发挥科教融合优势，培...
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三菱电机开发用于5G基站的GaN PA模块
2020-07-22
日本三菱电机公司（Mitsubishi Electric Corp）开发了新技术，以实现用于5G基站的氮化镓（GaN）功率放大器（PA）模块，该模块具有6mm x 10mm的紧凑尺寸和 43％的超高功率效率（在3.4-3.8GHz的5G频率范围内）。该模块在匹配电路中使用最少的芯片来控制高质量的信号输出，可以帮助实现可广泛部署且具有高能效的5G基站。新...
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改善氮化镓μ发光二极管的MOCVD隧道结
2020-07-20
美国加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）发布了具有通过金属有机化学气相沉积法生长的具有外延隧道结（TJ）的氮化镓（GaN）基微型发光二极管（μLED）的最低正向电压（MOCVD）。该电压仅略高于使用铟锡氧化物（ITO）透明导电电极的电压。UCSB团队使用选择性区域生长（SAG）技术来创建带有穿孔的隧道结层。TJ中的穿孔孔用于在...
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成都高新区出台政策 支持集成电路设计产业发展
2020-07-17
为进一步增强成都高新区集成电路产业的核心竞争力，推动集成电路产业转型升级，实现产业高质量发展，近日，成都高新区正式印发《成都高新技术产业开发区关于支持集成电路设计产业发展的若干政策》 （以下简称“ 《政策》 ” ） 。对新引进项目或存量企业增资项目的集成电路设计业务收入首次达到1亿元、 3亿元、 5亿元、 ...
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RENA推出单晶圆处理系统用于湿法工艺
2020-07-17
RENA Technologies推出Inception单晶圆平台，将其从湿法处理平台产品组合中扩展出来，该平台在研发到生产过程中起过渡作用，并能够处理所有半导体湿法工艺，例如清洁、蚀刻、剥离并干燥。RENA Technologies NA的首席执行官Ed Jean说： “如果您只有一把锤子，那么一切就像钉子一样。通过将Inception单晶圆工具添加到RENA...
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给钙钛矿太阳能电池装块“软骨”
2020-07-15
近年来，钙钛矿太阳能电池在柔性可穿戴电子设备等方面具有独特的优势和巨大的应用潜力。然而，钙钛矿却是块“硬骨头” ，其易脆性、结晶性等特点影响着其“柔性”应用的进一步发展和商业化拓展。除了稳定性，宋延林认为，现阶段，基于高质量钙钛矿薄膜的大面积印刷工艺尚不成熟，需要对钙钛矿薄膜制备过程中的形核结晶过...
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蓝宝石表面氮化铝成核与再生长的改善
2020-07-14
研究人员一直在寻求方法来改善蓝宝石上氮化铝（AlN）的生长质量，以期将其应用于电子产品。除了电击穿之前的高临界场外，AlN的高导热性能够改善集成电路的热管理，高临界场可实现更快、更节能和更紧凑的功率开关器件。为了利用超宽带隙AlN的增强临界电场特性，减少因晶体缺陷引起的潜在泄漏至关重要。目前，AlN模板的质...
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超高精度激光光刻技术取得重要进展
2020-07-13
亚10nm的结构在集成电路、光子芯片、微纳传感、光电芯片、纳米器件等技术领域有着巨大的应用需求（图1），这对微纳加工的效率和精度提出了许多新的挑战。激光直写作为一种高性价比的光刻技术，可利用连续或脉冲激光在非真空的条件下实现无掩模快速刻写，大大降低了器件制造成本，是一种有竞争力的加工技术。然而，长期...
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100Gb/s的全封装CWDM硅光子模块
2020-07-09
在欧盟COSMICC项目支持下，法国微纳米技术研发中心CEA-Leti展示了一种完全封装的粗波分复用（ CWDM ）硅光子收发器模块，每根光纤的数据传输速率为100Gb/s ，光电芯片上还集成有一个低功耗电芯片。基于硅光子学的收发器以50Gb / s的速率复用两个波长，旨在满足不断增长的数据通信需求以及数据中心和超级计算机的能耗。该...
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深紫外发光二极管的载流子定位工程
2020-07-07
北京大学已采用深紫外（ DUV ，波长小于300nm ）发光的自组装侧壁量子阱（ SQW ）结构来改善基于氮化铝镓（ AlGaN ）化合物半导体合金的二极管的光输出功率性能。C面蓝宝石衬底上进行多量子阱( MQW )材料生长过程中的聚集效应。北京研究人员认为他们的SQW方法是一种潜在的“颠覆性框架” ，另外， SQW结构会产生载流子局...
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新金属芯片能提高存储速度百倍
2020-07-03
更快、更密集的数据存储革命即将来临了吗？据英国《自然·物理学》杂志近日发表的一项研究，一个美国联合研究团队利用层状二碲化钨制成了二维（ 2D ）金属芯片，其厚度仅三个原子！在更节能的同时，储存速度提高了100倍之多，为开发下一代数据存储材料奠定了基础。在这次的新研究中，美国斯坦福大学、加州大学伯克利分校...
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提高铟铝氮化镓势垒异质结构的迁移率
2020-06-28
台湾国立交通大学已使用氮化镓中间层（ IL ）来改善低成本硅上氮化铟铝镓（ InAlGaN ）阻挡层高电子迁移率晶体管（ HEMT ）的性能。研究提示IL的增长时间过长会导致InAlGaN势垒的表面退化，适合进行“阶梯流”生长，从而使表面更光滑，降低了样品深处的界面粗糙度。由于界面粗糙度的改善,合金和界面粗糙度的散射得到了有...
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MEMS皮拉尼真空传感器
2020-06-24
皮拉尼（ Pirani ）真空计是基于热传导原理的真空计，基于传统热阻的皮拉尼真空技术在国际上已较为成熟，并有典型的真空传感器产品。为了实现宽范围量程的真空计量，往往需要通过组合多个真空计来实现。但由于传统的真空计体积较大，而真空组合模块的体积又进一步限制了其应用。中科院微电子所先导中心在微型MEMS皮拉尼...
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微电子所在表面增强拉曼（SERS）生化检测研究领域取得进展
2020-06-22
近日，微电子所集成电路先导工艺研发中心陈大鹏研究员课题组与中北大学熊继军教授课题组合作在表面增强拉曼（ SERS ）生化检测研究领域取得了阶段性进展。课题组提出了一种基于纳米森林的超疏水高粘附基底用于分子的双重富集，所制备的3D结构的金/银纳米杂化结构能很好地将待测物分子限制在“热点”处，从而成功实现分子...
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超冷原子量子计算与量子模拟领域获重大突破
2020-06-22
量子纠缠是量子计算的核心资源，量子计算的能力将随纠缠比特数目的增长呈指数增长。因此，高品质纠缠粒子对的同步制备是实现大规模纠缠态的首要条件。但是，受限于纠缠对的品质和量子逻辑门的操控精度，目前人们所能制备的最大纠缠态距离实用化的量子计算和模拟所需的纠缠比特数和保真度还有很大差距。光晶格超冷原子比...
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III-V族光电材料及器件制备研究进展
2020-06-20
近些年来，中国大力发展的大数据、云计算、人工智能、量子技术以及诸多大科学装置是依赖于信息的快速获取、高速处理和高效传输，实现这一切的基础则是需要有性能更为强大的元器件作为保障。为此，人们一直通过不断提高提高微电子芯片的集成度来解决相关问题，目前， ASML EUV光刻系统可实现7 nm节点甚至更小尺度的晶体管...
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微电子所在先进Co互连阻挡层研究领域取得进展
2020-06-17
近日，中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组在先进Co互连阻挡层研究领域取得了阶段性进展。目前， W和Cu被广泛应用于互连线中，但随着互连线的线宽不断减小，电子表面散射与晶界散射会使得互连线电阻率受尺寸效应影响迅速增大。针对先进Co互连，课题组采用Co 、 Ti靶材共溅射方法制备了非晶CoTi...
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中国科学家研发出新一代全钒液流电池电堆
2020-06-12
中国科学院大连化学物理研究所(以下简称“大连化物所” ) 11日发布消息称，该所研究员李先锋、张华民领导的科研团队近日成功研发出新一代低成本、高功率全钒液流电池电堆。而相对于传统全钒液流电池电堆，新一代电堆采用的可焊接多孔离子传导膜可以提升离子选择性，提高电解液的容量保持率，此外，多孔离子传导膜的成本...
综合新闻