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中国芯片设计云技术白皮书2.0发布
2020-08-17
摩尔精英IT/CAD事业部曾于2019年11月21日的南京ICCAD大会上发表的《芯片设计云计算白皮书1.0 》中，初步探索了基于公有云的EDA计算平台的实现方案。随着进一步的探索和方案优化， 2020年8月摩尔精英发布《芯片设计云技术白皮书2.0 》 ，进一步升级迭代EDA云计算的实现方案。在这一稿白皮书中，将基于Azure云平台，呈现包...
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走出独特“从工程到技术再科学”模式
2020-08-13
对于源头创新赛道上的竞争，深圳“补短板”应与“辟新域”同步进行。在IT上我们要加强“补短板”，如集成电路设计、制造及上游材料；核心系统软件包括操作系统、EDA软件等。BT方面则侧重“辟新域”，在高端医疗器械、大分子药、基因工程和脑科学等方面加大创新力度。深圳必须向国际尖端创新发力，未来在核心技术和核心价...
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首块基于蚕丝蛋白的硬盘存储器问世
2020-08-12
在许多人看来，蚕丝是纺织衣物的材料，但是，在科学家的手中，这种传统的材料可以作为存储信息的高科技新材料，植入生命体内。中科院上海微系统所陶虎课题组联合美国纽约州立大学石溪分校和德州大学奥斯汀分校相关课题组，首次实现了基于蚕丝蛋白的高容量生物存储技术，这也是国际首块基于天然生物蛋白的硬盘存储器。相...
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新型能谷电子器件研制成功 或可应用于未来集成电路
2020-08-11
随着摩尔定律接近极限，传统的晶体管器件已进入发展瓶颈。如何利用新原理、新结构和新材料来解决和优化传统半导体器件中的尺寸微缩和能耗等问题，是后摩尔时代半导体技术的发展重点。南京大学电子工程学院的王肖沐、施毅课题组同浙江大学的徐杨课题组以及北京计算科学研究中心合作，研制了一种在常温下实现能谷自旋流产...
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半极性蓝宝石GaN激光器的连续波操作
2020-08-10
美国圣塔芭芭拉大学（ UCSB ）宣称在4英寸蓝宝石衬底上生长出第一个室温下连续波（ CW ）电驱动半极性氮化镓（ GaN ）蓝色激光二极管（ LDs ） 。研究人员表示该工作为大幅降低半极性激光二极管成本，并加快未来半极性GaN激光二极管及其应用开发方面做出了重大突破。先蓝宝石衬底上生长半极性GaN层。激光二极管结构采用...
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兰州化物所石墨烯复合材料及器件研究取得进展
2020-08-07
石墨烯作为一种新型碳纳米材料，具有高机械强度、良好导电导热性、大比表面积、良好化学稳定性等优点，在能量储存、电子器件、传感材料、催化剂、防腐涂料等领域展现出极为广阔的潜在应用前景。目前，石墨烯的应用主要采用复合材料的途径进行性能的提升，其制备方法主要包括化学还原法、水热法、溶胶凝胶法和电化学法。...
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国家纳米中心在锂离子电池硅负极研究中取得进展
2020-08-05
随着移动电子产品、大规模储能和电动汽车的快速发展，开发高能量密度、高功率密度、长循环寿命、高安全性的锂离子及后锂离子电池成为储能领域的研究热点和焦点。发展高容量、高倍率、高稳定性的电极材料是实现这一目标的重要途径。近年来，国家纳米科学中心李祥龙、智林杰团队从低成本的二氧化硅纳米颗粒出发，改进镁热...
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以低缺陷密度的AlN /蓝宝石模板有效释放AlN厚膜中的拉伸应力
2020-08-04
中国研究人员展示了如何通过高温金属有机化学气相沉积（ MOCVD ）有效释放氮化铝（ AlN ）厚膜中的拉应力，从而允许低缺陷密度AlN /蓝宝石模板的生长。研究人员提出生长厚的AlN膜以减少AlN /蓝宝石模板中的TDD ，这可使位错爬长距离以互相破坏。随后，通过使用Aixtron紧密耦合喷嘴（ CCS ）高温（ HT ）金属有机化学气相...
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氮极Ⅲ族氮化物隧道结发光二极管的首次展示
2020-08-03
中国和沙特阿拉伯的研究人员首次展示了氮极隧道结（TJ）氮化铟镓（InGaN）发光二极管（LED），研究人员称，以前已经报道了具有良好性能的N极隧道结，但是目前仅获得了III极III型氮化物TJ-LED。 研究团队使用极化掺杂的氮化铝镓（AlGaN）来提高TJ的性能，产生更高的空穴浓度，并增加了从电极散布的横向电流。这项工作中的...
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NYU最新研发技术推动2D半导体材料行业应用
2020-08-01
近来，二维（ 2D ）半导体作为一种新型材料正在引起人们的关注，其大小与一个原子的厚度相当。理论上来说， 2D材料在电子和光电子工业以及物联网设备中有着光明的应用前景。任何手机、电脑、电子设备，甚至太阳能电池，都是由相同的基本电子元件，即二极管组成的。二极管的核心基础p － n结的纳米制备一直是个未解决的挑...
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国务院印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》
2020-08-07
新华社北京报道，日前国务院印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》（以下简称《若干政策》）。《若干政策》强调，集成电路产业和软件产业是信息产业的核心，是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量。国务院印发《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》《进一步鼓励软件产业和集成电路...
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E型GaN晶体管的转移印刷和自对准蚀刻
2020-07-27
首个晶圆级单片实现的常关、增强型（E型）共源共栅场效应晶体管（FET）在中国西安电子科技大学研制成功，该场效应晶体管由硅（Si）和氮化镓（GaN）组件组成，这些组件通过低成本转移印刷和自对准蚀刻工艺组装而成。研究人员希望他们的技术能实现大规模的集成，将硅、氮化镓和其他材料结合在一起的器件和电路的功能多样化...
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中国本科生首次带着自己设计的处理器芯片毕业
2020-07-27
中国本科生首次带着自己设计的处理器芯片毕业— —中国科学院大学25日公布首期“一生一芯”计划成果：在国内首次以流片为目标，由五位本科生主导完成一款64位RISC-V处理器SoC芯片设计并实现流片。芯片能成功运行Linux操作系统以及学生自己编写的中国科学院大学教学操作系统UCAS-Core 。该校还将充分发挥科教融合优势，培...
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三菱电机开发用于5G基站的GaN PA模块
2020-07-22
日本三菱电机公司（Mitsubishi Electric Corp）开发了新技术，以实现用于5G基站的氮化镓（GaN）功率放大器（PA）模块，该模块具有6mm x 10mm的紧凑尺寸和 43％的超高功率效率（在3.4-3.8GHz的5G频率范围内）。该模块在匹配电路中使用最少的芯片来控制高质量的信号输出，可以帮助实现可广泛部署且具有高能效的5G基站。新...
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改善氮化镓μ发光二极管的MOCVD隧道结
2020-07-20
美国加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）发布了具有通过金属有机化学气相沉积法生长的具有外延隧道结（TJ）的氮化镓（GaN）基微型发光二极管（μLED）的最低正向电压（MOCVD）。该电压仅略高于使用铟锡氧化物（ITO）透明导电电极的电压。UCSB团队使用选择性区域生长（SAG）技术来创建带有穿孔的隧道结层。TJ中的穿孔孔用于在...
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成都高新区出台政策 支持集成电路设计产业发展
2020-07-17
为进一步增强成都高新区集成电路产业的核心竞争力，推动集成电路产业转型升级，实现产业高质量发展，近日，成都高新区正式印发《成都高新技术产业开发区关于支持集成电路设计产业发展的若干政策》 （以下简称“ 《政策》 ” ） 。对新引进项目或存量企业增资项目的集成电路设计业务收入首次达到1亿元、 3亿元、 5亿元、 ...
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RENA推出单晶圆处理系统用于湿法工艺
2020-07-17
RENA Technologies推出Inception单晶圆平台，将其从湿法处理平台产品组合中扩展出来，该平台在研发到生产过程中起过渡作用，并能够处理所有半导体湿法工艺，例如清洁、蚀刻、剥离并干燥。RENA Technologies NA的首席执行官Ed Jean说： “如果您只有一把锤子，那么一切就像钉子一样。通过将Inception单晶圆工具添加到RENA...
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给钙钛矿太阳能电池装块“软骨”
2020-07-15
近年来，钙钛矿太阳能电池在柔性可穿戴电子设备等方面具有独特的优势和巨大的应用潜力。然而，钙钛矿却是块“硬骨头” ，其易脆性、结晶性等特点影响着其“柔性”应用的进一步发展和商业化拓展。除了稳定性，宋延林认为，现阶段，基于高质量钙钛矿薄膜的大面积印刷工艺尚不成熟，需要对钙钛矿薄膜制备过程中的形核结晶过...
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蓝宝石表面氮化铝成核与再生长的改善
2020-07-14
研究人员一直在寻求方法来改善蓝宝石上氮化铝（AlN）的生长质量，以期将其应用于电子产品。除了电击穿之前的高临界场外，AlN的高导热性能够改善集成电路的热管理，高临界场可实现更快、更节能和更紧凑的功率开关器件。为了利用超宽带隙AlN的增强临界电场特性，减少因晶体缺陷引起的潜在泄漏至关重要。目前，AlN模板的质...
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超高精度激光光刻技术取得重要进展
2020-07-13
亚10nm的结构在集成电路、光子芯片、微纳传感、光电芯片、纳米器件等技术领域有着巨大的应用需求（图1），这对微纳加工的效率和精度提出了许多新的挑战。激光直写作为一种高性价比的光刻技术，可利用连续或脉冲激光在非真空的条件下实现无掩模快速刻写，大大降低了器件制造成本，是一种有竞争力的加工技术。然而，长期...
综合新闻