美国和韩国的研究人员主张使用具有纳米多孔（NP）氮化镓（GaN）的导电分布式布拉格反射器（DBR）来制造第一款电注入III氮化物垂直腔面发射激光器（VCSEL）。这将有助于克服目前用III族氮化物材料生产蓝色和紫外VCSEL的局限性，使其性能与红外和更长可见光波长下的性能相似。并且目前的研究表明，导电纳米多孔GaN DBR可以潜在地满足VCSEL操作的所有要求，并为可扩展和可控制的批量生产提供独特的途径。

　　外延材料生长在2英寸c平面体GaN衬底上。底部DBR材料由交替掺杂硅（Si）和锗（Ge）层组成。电感耦合等离子体刻蚀用于创建腔内和底部n接触的平台，并通过硝酸和1.6V偏压暴露DBR材料用于多孔化工艺。顶部反射器是介电结构，由HfO2隔离层和SiO2 / HfO2 DBR对组成。

　　研究人员在生产VCSEL之前使用校准结构，确定了底部DBR在39nm处的终止间隙，可实现98％以上的反射率，以及99.6％的峰值反射率。研究发现该阻带比以前报道的外延DBR宽两倍，在2英寸晶圆上中心波长的偏移均匀度小于2nm。根据使用转移矩阵法的拟合，纳米多孔GaN的折射率为2.06。

　　使用具有0.4％占空比的200ns脉冲电流注入来测试VCSEL。腔内注射时，开启电压为5.4V，激光阈值达到42kA / cm2的电流密度。在78kA / cm2时，最大光输出功率为0.17mW。峰值波长为434nm。

　　激光输出的检查显示出亮点，与设备中的丝状激光结构有关。光输出功率的扭结增加分别为54kA / cm2和74kA / cm2，这归因于额外的灯丝开始发光。