日本SCIOCS Co Ltd宣称其n型氮化镓（n-GaN）在室温下具有最高的迁移率，载流子密度为1015/cm³。这种低掺杂层是额定电压高达10kV的垂直功率器件的关键组件，需要厚漂移层以减少电场，同时保持导电率，与迁移率和自由载流子密度成比例。

　　SCOICS团队使用氢化物气相外延（HVPE），该采用金属镓和氨（NH₃）作为原料，避免了C的存在，从而避免了碳污染有关的迁移率崩溃效应。HVPE的另一个优势是，其生长速度比MOCVD快得多。

　　为了能够精确控制低电子密度材料所需的硅掺杂，研究人员开发了一种QF-HVPE工艺。QF-HVPE的增长是通过从设备的高温区域去除石英来实现的，并且避免了氧污染。温度为1050°C，基板为2英寸，+c取向，Si掺杂的n型自立式GaN，采用SiCOSCS开发的空穴辅助分离法生产，QF-HVPE的增长率约为1μm/min。

　　在低 QF-HVPE工艺中发现了最高的迁移率1470cm²/V-s，其自由电子密度非常低，仅为1.2x10¹⁵/cm³。这是迄今为止GaN晶体报道的最高室温迁移率。

　　该团队还测量了通过MOCVD和QF-HVPE生长的晶片上的载流子密度均匀性）。平均载流子密度分别为7x10¹⁵/cm³和3.4x10¹⁵/cm³。MOCVD中载流子密度的不均匀性的标准偏差为16.7％。这归因于斜角依赖的C掺入效率。对于QF-HVPE，不均匀性标准偏差是已经很低的平均载流子密度的4.0％。

　　QF-HVPE n-GaN的光致发光研究显示，清晰的363nm波长近带边缘发射峰，以及以520-530nm为中心的较弱的宽绿色发射。这种绿色发光与氮空位有关。没有黄色发光的迹象，通常是由于C污染引起的。