美国UCSB一直在使用氮化镓多孔化工艺来增加氮化铟镓（InGaN）微米级发光二极管（μLED）的波长。多孔GaN的刚性较差，因此覆盖InGaN的“伪衬底”（PS）层的应变较小。

　　疏松的InGaN通过“成分拉动效应”增加了再生长过程中的铟吸收，形成了更高的铟含量层，从而产生了更长的发射波长。这项工作有助于产生发射绿色光（500-565nm）甚至发射橙色（590-625nm）的器件。

　　对于InGaNμLED，UCSB团队在c面蓝宝石上进行MOCVD。GaN层使用三甲基镓作为金属前驱体，而InGaN使用三乙基镓和三甲基铟。用于n型导电性的硅掺杂来自乙硅烷（Si₂H₆）。将由该材料制成的2mmx2mm的管芯干法蚀刻成尺寸为8μmx8μm到20μmx20μm的正方形瓷砖。对该多孔材料进行MOCVD再生长，产生LED结构。

　　该团队首先研究了具有4％mx4μm面积的LED的平均发光波长（EL），这些尺寸的LED具有铟含量为4％的基础InGaN层。随着瓦片变小，波长发生红移。发射波长在很大程度上与μLED台面尺寸无关，没有明显的趋势。在100A / cm²时，器件的外部量子效率（EQE）小于0.44％，最大值来自20μm瓷砖上最大的μLED。较大的μLED的效率更高，表明通过表面重组效应会从有源区域的周边损失。

　　研究小组还发现与发出绿色光的μLED相比，随着n-InxGa1-xN基层中铟成分的增加以及发出橙色光的μLED的量子阱的增加，v缺陷形成的增强导致引入了很多泄漏途径。这导致橙色μLED的泄漏电流增强。尽管发橙光器件的EQE很少，但证明了该技术在制造应变松弛型色彩可调μLED方面的潜力。