首个晶圆级单片实现的常关、增强型（E型）共源共栅场效应晶体管（FET）在中国西安电子科技大学研制成功，该场效应晶体管由硅（Si）和氮化镓（GaN）组件组成，这些组件通过低成本转移印刷和自对准蚀刻工艺组装而成。

　　研究人员希望他们的技术能实现大规模的集成，将硅、氮化镓和其他材料结合在一起的器件和电路的功能多样化，并且避免了昂贵且复杂的金属有机化学气相沉积或晶圆键合步骤。

　　研究人员已经开发AST传输技术已有一段时间了。这种最新的方法具有比以前更厚的AST，可以估算出各个步骤的产率：转移效率为98.25％，接收器基板上没有褶皱或裂纹的矩形达到93.78％，完全完成率为96.86％。转移过程使研究人员能够将E型Si MOSFET和D型GaN HEMT之间的互连距离减小到100μm左右。减小这种距离是避免寄生电感的关键。研究人员报告表示与传统的芯片到芯片封装器件相比，单片集成Si-GaN共源共栅FET的寄生电感估计可以降低98.59％。

　　共源共栅FET的导通电阻或驱动电流取决于许多因素，例如Si器件与GaN器件之间的互连距离、互连金属的厚度、器件的尺寸以及GaN HEMT的阈值电压。通过优化D型GaN HEMT的VTH，匹配Si-GaN器件的尺寸，加厚金属互连并减小Si-GaN器件之间的距离，可以降低共源共栅FET的大导通电阻。

　　研究人员说，这种摆动幅度大于竞争对手的结构，例如p-GaN栅极GaN HEMT和凹栅GaN HEMT。研究人员还发现，在一系列单独的共源共栅FET上，行为具有良好的一致性。