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微电子所在8英寸平台上成功制造绝缘体上张应变锗（TSGOI）晶圆
2018-08-30
近日，中国科学院微电子研究所研究员Henry Radamson和副研究员王桂磊在先导中心8寸平台上成功制造绝缘体上张应变锗（TSGOI）晶圆。该项技术突破，实现了工艺过程中对Ge的诱导应变微调，使Ge的带隙改变为0.7eV。以此类Ge衬底制备的PMOS器件实现了506cm2V-1s-1的高空穴迁移率。这一成果为微电子学和光子学的单片集成提供了...
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微电子所建成国际一流的硅光子平台
2017-12-28
近期，微电子所硅光子平台器件完成了平台工艺设计工具包（ PDK ）与国际主流光子集成设计软件PhoeniX Software和Luceda Photonics IPKISS的集成，标志着微电子所建成国际一流的硅光子平台。为了进一步提高平台能力和规范服务流程，平台近期与国际知名光子集成设计软件商PhoeniX Software合作，将PDK内容与其设计软件进行...
综合新闻