美国纽约州立大学理工学院（SUNY Poly）的两名研究人员声称4H多型碳化硅（SiC）侧向金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）具有创纪录的性能。特别是栅漏间距为2.5μm的0.3μm沟道器件可实现7.7mΩ-cm²的比导通电阻和450V击穿。

　　两名研究人员设计了各种尺寸不同的MOSFET，衬底具有6μm重掺杂n+漂移层。高温氮离子注入产生了n+源和沟道终止区。激活掺杂后实现栅极绝缘，再对栅极氧化物进行图案化，施加层间电介质（ILD）。然后使用镍进行自对准硅化物晶体管的形成工艺。随后进行900°C或1000°C的快速热退火（RTA）。较高的温度导致较低的接触电阻。通过4μm的铝沉积以及氮化物/聚酰亚胺正面钝化来完成器件制造。

　　该设备的横向布局由多个以源极或漏极为中心的叉指组成。以减轻外围P+区域的电场拥挤并扩展水平耗尽层，以达到器件的指定击穿电压。

　　以源为中心的方法在没有边缘端接的情况下实现了100V的600V阻断电压。相比之下，在以漏极为中心的器件中，这种阻塞仅限于280V。与室温（25°C）相比，高温下器件的导通电阻降低。最低温度为125°C，但在最高200°C的范围内，导通电阻仍低于室温。R^ON从125°C起上升，sp可能是由于其他高温电阻的控制。

　　通常，这些器件的栅漏距离为5μm。一个以源极为中心的器件，栅漏极间距较小，为2.5μm，沟道长度为0.3μm，仍然可以实现合理的450V击穿电压，最低的RON为7.7mΩ-cm²。450V对应于180V/μm的阻断，而5μm栅漏器件（0.5μm通道）的阻断电压为120V/μm。