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告全党全军全国各族人民书
2022-11-30
中国共产党中央委员会、中华人民共和国全国人民代表大会常务委员会、中华人民共和国国务院、中国人民政治协商会议全国委员会、中国共产党和中华人民共和国中央军事委员会，极其悲痛地向全党全军全国各族人民通告：我们敬爱的江泽民同志患白血病合并多脏器功能衰竭，抢救无效，于2022年11月30日12时13分在上海逝世，享年9...
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微电子所研发制备出一种高性能单晶硅沟道3D NOR储存器
2022-11-11
NOR闪存以速度快、可靠性高和使用寿命长等优势，在人工智能、汽车电子和工业领域中发挥着不可替代的作用。目前普遍使用的平面NOR闪存在50纳米以下技术代的尺寸微缩遇到瓶颈，难以进一步提升集成密度、优化器件性能和降低制造成本。为突破上述瓶颈，研究人员提出了多种基于多晶硅沟道的三维NOR （ 3D NOR ）器件，但多晶...
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微电子所先导中心举办“如何进一步增强科研氛围 提升学术素养”研讨会
2022-10-19
10月10日，微电子所先导中心举办“如何进一步增强科研氛围提升学术素养”研讨会。会议由先导中心任期内青促会成员组织。先导中心主任罗军、副主任王晓磊及青年科研骨干、研究生代表等参会。先导中心副研究员张青竹主持会议。罗军总结了先导中心面向国家重大需求，在集成电路先导工艺研发方面取得的科研成果，指出，新形...
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中国科学院“弘扬科学家精神 喜迎党的二十大”在线活动
2022-10-13
在线活动包括“国之大者”“国之传承”“国之重器”“国之榜样”四个篇章，通过为以老科学家命名的科技攻关突击队授旗、科学家报告和访谈、重大科技基础设施连线等内容，以生动、翔实、珍贵的画面，回溯科学大家风范、讲述创新团队故事、呈现科技创新成果。活动展示了科技创新成果背后科技工作者们不忘初心、牢记使命、...
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烟台海岸带所在海洋防污损聚合物膜电位型传感器研究中取得进展
2022-10-11
科研人员采用贻贝仿生多巴胺表面修饰方法，将亲水性的聚多巴胺修饰于聚合物敏感膜表面，改善聚合物敏感膜的表面亲水性，降低蛋白质在传感器表面的附着，提高了传感器的防污损性能（ Anal . Chem . .考虑到传感器表面防污活性材料流失以及生物膜逐渐堆积对传感器的防污损能力带来的不利影响，科研人员研制了可更新式防污...
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把创新作为引领发展的第一动力
2022-10-11
“5、4、3、2、1，点火、起飞！”金秋时节，戈壁滩上的酒泉卫星发射中心，一枚“快响利箭”腾空而起，跃向苍穹。这是由我国自主研制的快舟一号甲固体运载火箭第16次圆满完成的飞行任务，成功将两颗试验卫星发射升空，我国商业航天探索浩瀚宇宙的脚步更加轻快。 在距离酒泉卫星发射中心2000多公里外的武汉国家航天产...
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六硅基量子位处理器首次实现完全控制
2022-10-08
荷兰科学家首次实现了由6个硅基量子比特组成的完全可互操作的量子阵列。而且，他们借助新的芯片设计方法、自动化校准程序，以及量子比特初始化和读出方法，能以较低错误率操作这些量子比特，有望催生硅基可扩展量子计算机。研究人员指出，科学家们已经制造出由超过50个超导量子比特组成的量子阵列，但鉴于硅基技术已经被...
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欧阳钟灿：新型显示技术在崛起
2022-09-22
今年1月16日出版的第二期《求是》杂志发表习近平总书记重要文章《不断做强做优做大我国数字经济》 ，文章指出： “要聚焦集成电路、新型显示、通信设备、智能硬件等重点领域，加快锻造长板、补齐短板，培育一批具有国际竞争力的大企业和具有产业链控制力的生态主导型企业。随着技术进步， TFT-LCD （薄膜晶体管液晶显示...
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微电子所王文武研究员团队荣获2022年度“魏桥国科校长奖教金”
2022-09-08
近日，中国科学院大学公布了2022年 “魏桥国科校长奖教金”获奖团队名单。微电子所王文武研究员领导的“集成电路先导工艺研究团队”获奖。“魏桥国科校长奖教金”是为支持国科大教师队伍建设、科研业务发展和学科交叉融合，由士平公益基金会与国科大教育基金会共同发起设立，每年评选10支团队，用于支持团队、教师发展，...
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新研究实现在纳米尺度“操控”光传输
2022-08-31
光电集成芯片可以最大限度发挥光子传输、电子计算的优势，是获取跨越式信息处理能力的关键器件。研究人员突破了传统静电掺杂和液体化学掺杂技术难以兼顾载流子迁移率和浓度的瓶颈，发展了兼具高迁移率和高浓度的气相化学掺杂技术，实现了石墨烯费米能级从0到0.7电子伏特超宽范围调制。研究团队进一步通过基底介电环境设...
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微电子所在无外场单级电压控制SOT-MTJ自旋逻辑器件的研究中取得新进展
2022-08-18
自旋逻辑器件由于具有非易失性、低功耗以及易于小型化等优点，尤其是基于SOT的自旋逻辑器件具有高速、高耐久性，因而更加适合存内计算领域的应用，具有巨大的应用潜力。然而，目前报道的SOT逻辑器件大都是以双极性电信号的形式进行逻辑操作，需要额外的辅助电路对给定电信号进行转化从而完成逻辑操作（图1a ） ，导致该...
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微电子所垂直沟道纳米晶体管研发工作再获重要突破
2022-08-17
垂直沟道纳米器件因其对栅长限制小、布线灵活及便于3D一体集成等天然优势，在1纳米逻辑器件/10纳米DRAM存储器及以下技术代的集成电路先进制造技术方面具有巨大应用潜力。对于高性能垂直单晶沟道纳米晶体管，现阶段控制沟道尺寸最好方法是采用先进光刻和刻蚀技术，但该技术控制精度有限，导致器件性能波动过大，不能满足...
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中科院微电子所与华为海思合作在无外磁场写入的自旋轨道矩磁隧道结器件的研究中取得新进展
2022-07-29
垂直自旋轨道矩磁隧道结器件（SOT-MTJ）是新一代磁随机存储技术的核心单元，它具有非易失、高速、低功耗、读写寿命长等特点，极有希望成为下一代非易失磁存储技术。但是垂直SOT-MTJ器件需要外磁场辅助才能实现定向写入。外磁场的引入会导致额外的功耗、面积消耗，并会导致串扰等问题。如何实现无外磁场下定向高速写入的S...
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集成光量子器件中单光子阻塞新原理揭示
2022-07-22
记者21日从中国科学技术大学了解到，该校郭光灿院士团队邹长铃研究组，提出了在单个光学模式中利用极弱的光学非线性实现光子阻塞的新原理和新方案，并分析了其在集成光学芯片上实现的实验可行性。针对以上难题，在前期研究工作的基础上，研究组引入光子的频率自由度，提出在单个光学模式中利用两束连续激光控制其动力学...
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微电子所在新型垂直互补场效应晶体管（CFET）结构设计与仿真研究方面取得进展
2022-07-15
垂直堆叠纳米线/纳米片全包围栅（ Gate All Around , GAA ）互补场效应晶体管（ Complementary Field Effect Transistor ， CFET ） ，将不同导电沟道类型（ N-FET和P-FET ）的GAA器件在垂直方向进行高密度三维单片集成。相较于现有主流FinFET与水平GAA晶体管集成电路工艺， CFET突破了传统N/P - FET共平面布局间距的尺...
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实现就业和科研“双赢”
2022-07-01
毕业生增加167万，叠加疫情影响，今年的高校毕业生就业确实有点难。不过，一份文件的出台，让他们多了一种选择和可能。6月29日，《科技部等七部门关于做好科研助理岗位开发和落实工作的通知》公布，要求统筹推进科技研发、高新技术企业成长、高新技术产业发展和科研助理岗位开发工作，发挥科技计划和创新基地平台依托单...
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中国科学家创制碳家族单晶新材料
2022-06-23
富勒烯、碳纳米管、石墨烯… …新型碳材料领域的每一次发现，都对人类科技进步产生了重要影响。“由于碳碳成键的反应收率不是100% ，且反应不可逆，因此使用传统化学反应自下而上通过分子‘垒砖头’的方法制备二维团簇碳材料单晶几乎无法完成。对此，团队通过5年潜心研究，最终在常压下，利用掺杂聚合-剥离两步法，成功...
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研究人员发现纯硅-28纳米线的导热效率比天然硅纳米线材料高150%
2022-06-14
在每个微芯片中都有数百亿个硅晶体管，它们引导电子进出存储单元，将数据位编码为 1 和 0，即计算机的二进制语言。电流在硅晶体管之间流动会产生热量。尽管硅是一种良好的电导体，但当它被缩小到非常小的尺寸时，它就不是一种良好的热导体——当涉及到快速计算时，这对微型微芯片来说是一个大问题。在其自然形式中，硅由...
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我国科学家在铁基超导领域取得重大进展
2022-06-13
中国科学院物理研究所高鸿钧研究员带领的联合团队在铁基超导材料锂铁砷中首次实现了大面积、高度有序和可调控的马约拉纳零能模格点阵列，这一发现向着实现拓扑量子计算迈进了一步。2018年，高鸿钧研究团队与丁洪研究团队合作，利用其自主设计组装的国际顶尖水平的极低温强磁场扫描隧道显微镜/谱联合系统，精确测量了铁基...
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建设世界科技强国——科技十年回顾与展望
2022-06-09
党的十八大以来，以习近平同志为核心的党中央统揽全局、审时度势，对建设世界科技强国和实现高水平科技自立自强作出一系列战略部署，为我国科技事业发展把舵领航。近 10 年以来，科技界紧紧围绕建设世界科技强国和实现高水平科技自立自强，在各领域取得重大突破，国家创新体系效能显著提升，为经济社会高质量发展提供了...
综合新闻