在过去的50年中，全世界的研究人员一直在寻找一种制造基于硅或锗的激光器的方法。埃因霍温技术大学（TU / e）和慕尼黑技术大学（TUM）与耶拿大学和林茨大学团队现已开发出一种发光硅锗合金，因此，可以有机会首次实现硅芯片激光器集成到现有芯片中的开发。

　　硅通常在立方晶格中结晶，并且由于具有间接棒状结构，因此不适合将电子转换为光。研究团队所采取的关键步骤是从具有六方晶格的锗和硅生产锗和合金的能力，这种材料具有直接的带隙，因此可以自身发光。

　　TU / e的Erik Bakkers教授及其团队于2015年首次生产了六角形硅。他们首先使用由另一种材料制成的纳米线来生长六角形晶体结构。这用作锗硅壳的模板，其下的材料在其上施加了六方晶体结构。最初，这些结构不能被激发发光，通过与慕尼黑工业大学的Walter Schottky研究所交换想法后，他们分析了每一代的光学特性，最终优化了生产过程，从而使纳米线能够发光。开发由锗硅合金制成并能够集成到常规生产工艺中的激光器似乎只是时间问题，该研究项目获得了欧盟（SiLAS）项目的支持。

　　Finley说：“如果我们可以通过光学手段实现片上和片间电子通信，则速度可以提高1000倍。此外，光学和电子技术的直接结合可以大大降低芯片成本，如用于自动驾驶汽车中的激光雷达芯片和用于医学诊断的化学传感器以及空气和食品质量测量芯片。”

原文题目：Direct-bandgap emission achieved from hexagonal Ge and SiGe alloys

原文来源：http://www.semiconductor-today.com/news_items/2020/apr/eindhoven-100420.shtml