为了解决晶圆尺寸不匹配的问题，并应对微型LED产量的挑战，德国Micro LED技术厂商ALLOS 应用了其独特的应变工程技术，显示了200mm硅基GaN晶圆片卓越的均匀性和可重复性，该公司还报告了300mm晶圆的成~路线图。

　　良率是Micro LED显示器的成~的关键，并且会直接影响生产的复杂性和成本。对于Micro LED应用而言需采用大晶片来降低成本，Micro LED需要整合CMOS生产线的芯片与 LED晶圆片整合。与蓝宝石基氮化镓获得的更小直径相比，匹配的芯片直径还能促进其作用。ALLOS 团队采用其独有的应变工程技术来进一步提高波长一致性，并于2019 年2月展示了200mm的GaN-on-Si LED晶圆片，标准差（TDEV)）仅为0.6nm。

　　ALLOS 的最新研究结果显示，该技术现具有出色的可复制性，200mm的波长一致性始终低于1nm STDEV。ALLOS还满足了其他生产要求，例如弓小于40μm，SEMI 标准厚度为725μm。这些参数在将 CMOS 芯片粘合到 LED 外延片时非常重要。

　　ALLOS 证实，其技术已在此新反应器上成~扩展300mm。特别是，ALLOS独有的应变工程技术和出众的晶体质量如预期的一样适用于300mm。ALLOS指出，晶圆从直径100毫米进行放大，对微型LED的业务影响比在LED行业的其他部门更大。使用较大直径除了能够降低单位面积成本，用于Micro LED 生产的200mm 和300mm GaN-on-Si 晶圆片还能比传统LED生产线的成本更低和生产精度更高的CMOS设施。之所以会产生进一步的效果，是因为大多数micro-LED制造方式都使用大面积传输戳记的传质技术或单片集成显示器。

　　原文题目：ALLOS reports wavelength uniformity and reproducibility of 200mm GaN-on-Si epiwafers for micro-LEDs

　　原文来源：http://www.semiconductor-today.com/news_items/2020/mar/allos-310320.shtml