近日，中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组在先进Co互连阻挡层研究领域取得了阶段性进展。面向集成电路7/5纳米及以下技术节点，互连线RC的增大可使得芯片的传输延迟和功耗显著增加。目前，W和Cu被广泛应用于互连线中，但随着互连线的线宽不断减小，电子表面散射与晶界散射会使得互连线电阻率受尺寸效应影响迅速增大。然而，如果减少双层衬垫层/阻挡层的厚度会导致W和Cu互连线通孔填充能力变差，引起电迁移特性退化、特征寿命减小的可靠性问题。采用合理的热预算进行退火使Co晶粒生长并回流到具有高深宽比的通孔和沟槽中，实现无孔洞填充，被业界认为是替代W和Cu的互连金属之一。