工程材料和光电组件制造商II-VI已获得通用电气（General Electric）的SiC技术许可，以期进入功率器件和模块制造。就像II-VI在SiC晶圆市场上的主要竞争对手一样，美国的Cree / Wolfspeed和日本的Rohm Group Company（包括SiCrystal）也一样，新的许可能通过电动汽车和混合电动汽车（EV / HEV）应用的快速发展，推动SiC基电力电子产品的市场需求。

　　Knowmade在其报告《2019年功率SiC专利态势》中分析，GE的专利活动在2000年代末开始，重点是SiC MOSFET的平面器件架构，GE是平面SiC MOSFET技术中最活跃的IP厂商，目前在全球拥有90多项已获授权的专利，其中包括该领域的许多关键专利。并且GE在SiC MOSFET专利领域的专利活动有所放缓，这表明GE的SiC MOSFET技术已经达到了很高的成熟度。

　　2013年，GE对汽车行业的技术进行了认证（AEC-Q101，200°C）。 2016年末，除了小批量生产外，该公司还在纽约电力电子制造联盟（NY-PEMC）工厂开始大批量生产SiC功率器件。2017年，在NY-PEMC框架内，GE宣布与丹佛斯建立制造合作伙伴关系，以在美国纽约州的尤蒂卡（Utica）生产SiC功率模块。

　　II-VI与GE的专利协议将进一步促进平面SiC MOSFET技术在系统电气化方面的采用，例如工业基础设施、大型数据中心和车辆（EV / HEV）。大多数以汽车为重点的专利申请人似乎都将重点放在用于汽车应用的沟槽式SiC MOSFET技术上，但平面SiC MOSFET供应商已经开始合作开发基于SiC的汽车应用，如，在2019年11月，Cree / Wolfspeed与汽车供应商ZF建立了战略合作伙伴关系，以增强基于SiC的逆变器的电力传动系统。