德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所ISE现已报告，直接在硅上生长的III-V / Si串联太阳能电池的效率达到了创纪录的25.9％。该电池首次在低成本的硅基板上生产，这是串联光伏技术经济解决方案发展的重要里程碑。Fraunhofer ISE的Markus Feifel最近在第47届IEEE光伏专家会议上发表了他的研究成果。

　　以往，弗劳恩霍夫（Fraunhofer）ISE的串联太阳能电池的效率达到了创纪录的34.1％（现在为34.5％），该技术非常有效，但价格昂贵。因此，弗劳恩霍夫ISE多年来一直致力于更直接的制造工艺，包括III-V层直接生长在硅太阳能电池上。这需要所有层都保持高质量的晶体，这是一个重大挑战。现在，直接在硅上生长的III-V / Si串联太阳能电池已达到25.9％的新效率记录。

　　新串联太阳能电池的一个特别亮点是，III-V层没有像以前的情况那样在化学机械抛光的衬底上生长，而是直接在硅晶片上生长，锯切后，硅晶片经过简单的工艺处理，只有廉价的研磨和蚀刻工艺。丹麦的Topil公司在欧洲的SiTaSol项目中开发了这种硅晶片，从而实现了经济生产新型多结太阳能电池的重要一步。

　　将来的重点是进一步提高效率，以及以更高的生产率实现更快的层沉积，从而提高生产的成本效益，使串联光伏技术将能够为光伏技术的发展做出重要贡献。

　　这项技术可以用来发电，而且还适用于电解（即使用电将水分解为氢和氧）。因此，串联光伏可用于生产氢，储能介质和能量转换的重要组成部分。