作为资助的MehrSi项目的一部分，德国弗劳恩霍夫太阳能系统ISE研究所与伊尔默瑙技术大学，马尔堡菲利普斯大学以及沉积设备制造商Aixtron SE合作，通过优化层结构和技术，使硅衬底上生长的多结太阳能电池效率达到25.9％，创下了纪录。

　　镓和磷原子必须在与硅的界面上占据正确的晶格位置，因此必须很好地控制原子结构，这需要极高的精度。为了获得必要的外延晶片高质量，在外延生长期间实现所有层的高质量晶体至关重要。

　　在串联光伏中，高性能太阳能电池材料的不同组合以彼此叠层的形式排列，以便在将光转换为电能时更有效地利用不同波长的太阳光。硅适合吸收太阳光谱的红外部分，然后将几微米厚的不同III-V半导体化合物层施加到硅基底上，以将紫外线、可见光和近红外光更有效地转换为电能。由于使用硅基板的串联光伏电池，多结太阳能电池比基于其他基板的太阳能电池更具成本效益。

　　建立技术基础之后，项目合作伙伴现在正在努力进一步提高效率并降低制造成本，层沉积将实现更快的速度，更高的产量，成本更加优化。特别是，III-V型太阳能电池层中的位错密度将从108cm-2减小到1-5x106cm-2的范围，以将效率提高到30％以上。 Aixtron多年来已经与多家合作伙伴合作开发了这种基于硅的III-V多结太阳能电池，得益于Aixtron开发的先进系统技术以及与项目合作伙伴的良好合作，该项目得以实现。