中国苏州纳米技术与纳米仿生研究所（SINANO）已在硅上使用n型脊形波导（nRW）制造了氮化铟镓（InGaN）发射紫光的激光二极管（LDs），与pRW LDs相比，其电阻更低，热性能更好。普通工艺要求基于InGaN的激光二极管中的RW位于器件的p侧，但p-GaN的电阻比n-GaN的电阻大得多，因此出现了热和电问题。

　　该团队认为nRW-LD器件可以与大规模的硅基互补金属氧化物半导体（CMOS）主流电子产品完全兼容，并且可以在单片集成硅光子学中用作高效的片上光源，以实现高功率加快数据通信和计算速度。

　　RW-LD的III-氮化物异质结构在硅上生长，并控制穿线错位密度。激光二极管结构由夹在波导层之间的五个InGaN量子阱组成。将激光二极管结构的p面朝下键合到具有p型欧姆接触电极表面的精确Si（100）晶片上。倒置的RW-LD结构使包层的n型侧面约为0.5μm。在非倒置结构中，n覆层位于厚GaN模板的顶部，倒置RW-LD覆层的p侧较厚，为1.2μm。最终将键合材料制成10μmx800μmRW-LD器件。

　　研究人员表示低热导率的n型AlGaN包层厚度减小可以降低由于AlGaN和GaN模板之间晶格失配而产生的热阻和拉应力，从而提高器件性能和制造成品率。

　　在-5V反向偏置下，反向泄漏电流为?10-7A。开启电压约为3.0V。反向nRW-LD注入350mA时的差分电阻为1.2Ω，反向器件的热阻估计为18.2K / W。在350mA下连续波（CW）操作下的结温为48.5°C。

　　在100mA注入时，nRW-LD结构的半峰全宽（FWHM）光谱线为12nm。在320mA时，线宽缩小到0.8nm，在阈值处给出的激光模式波长为418.3nm。