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基于Ⅱ型狄拉克精准调控的高性能太赫兹光电器件研究取得进展

稿件来源：上海技术物理研究所责任编辑：ICAC 发布时间：2021-02-26

　　近日，中国科学院上海技术物理研究所科研人员与南京大学、复旦大学、东华大学、中国科学技术大学及上海科技大学的相关团队合作，提出了原子尺度上精细调控Ⅱ型狄拉克半金属的新方法，该研究成果以Colossal Terahertz Photoresponse at Room Temperature: A Signature of Type-II Dirac Fermiology（DOI：10.1021/acsnano.0c10304）为题，发表在《美国化学学会-纳米》上。

　　工业生产过程中的核心是制造，当半导体工艺制造加工从微米、纳米向着当前最具代表性的原子尺度迈进时，制造技术将可能直面以量子行为主导的变革性路线—原子制造。随着半导体技术和工艺的发展，人们对光电探测器提出了更高要求，尤其是处于光子学和电子学过渡区域的太赫兹辐射探测，如引力波探测、大气演化、军事雷达等，引起了极大关注。近年来，狄拉克（Dirac）半金属材料的发现激发了人们寻找奇异量子行为的潜在用途，如非线性霍尔效应、非线性光学等，狄拉克点处的费米子拥有有效质量为零、良好导电性和运动受拓扑学保护等特点，这为操纵与非平凡带拓扑相关的光电器件的性能带来了希望。

　　该研究中，科研人员通过室温下的光电表征与电子结构表征，发现第二类狄拉克费米子太赫兹异常增强现象。通过Pt原子的引入来构筑狄拉克锥的对称性，可推导出狄拉克点几乎完全位于费米能级的情况下，如图1所示，具有极大的室温光导增强，有望实现器件性能的大幅提升。实验结果与应用于拓扑材料的最可靠方法角分辨光电子能谱（ARPES）高度一致，并且狄拉克半金属范德华异质结具有较好的抑制热搅动噪声和快速响应、低功耗的性能，表明在原子层面构筑新材料、新器件的新途径。该研究为探索拓扑半金属开辟了新途径，并为低能量长波探测技术在成像、生物医学传感和下一代通信领域的定向应用探索了可行性。

　　上海技物所研究员王林、陈刚、陈效双和南京大学教授宋凤麒为论文共同通讯作者，上海技物所博士研究生徐煌、陈支庆子、南京大学副研究员费付聪为论文共同第一作者。

　　论文链接

　　材料能带变化及器件原理和性能

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