这种设备可以用于毫米级波长电磁无线电传输，即“毫米波”（mmWs），与拟议的5G和6G无线通信。碳化硅（SiC）上的外延材料结构具有沟道结构，该沟道结构由GaN上方的渐变AlGaN层组成，该阻挡层具有25％的Al含量。该结构在通道中检测出1423cm² / V-s的电子迁移率和9.5x10¹²/cm²的载流子密度。

　　为了降低接触电阻，制造的晶体管还具有再生的n+-GaN源漏接触。源极-漏极距离为1.1μm。mini-FP T栅极在漏极侧具有50nm的悬垂，旨在减少降低高频性能的栅-漏寄生电容效应。仿真表明，渐变的沟道结构将使栅漏间隙中的峰值电场降低22％。根据计算，采用微型FP可以进一步减少6％。

　　GaN HEMT的一个持续存在的问题是脉冲和高频操作下的电流崩塌。研究发现在HRL/Notre Dame器件中的影响约为6％，而对T栅极AlGaN HEMT的影响超过22％。在0.1GHz和67GHz之间的小信号频率性能评估中，分别得到了156GHz和308GHz的非固有截止（f_T）和最大振荡（f_MAX）频率。等效电路分析表明，影响f_T的主要因素是栅极至源极电容相关的栅极传输延迟。

　　在具有30GHz的中心杆（2x37.5μm）的两个37.5μm闸翼设备上，进行连续波无源标量负载牵引功率测试，显示随着漏偏压在10V和20V之间增加，线性功率输出功率密度在2.5W/mm和5.5W/mm之间。输出功率的线性度是许多无线通信标准的关键要求。

　　相关的功率附加效率（PAE）分别为70％和48％。在这些测量中，使用了固定的负载阻抗，并且没有因为漏极偏置的增加而优化。研究人员还发现，其晶体管的功率密度是先前报道的f_T~150GHz GaN器件的两倍以上。