理论研究表明，2D-SiC具有稳定的类石墨烯蜂窝结构，是一种直接带隙半导体材料。然而，在实验上，二维碳化硅的生长几十年来一直是科学家们的难题，因为块状碳化硅是一种强共价键合材料。SiC的相邻原子通过共价sp3杂化结合在一起，这比层状材料中的范德华键强得多。此外，块状SiC有超过250种多型体，进一步使合成过程复杂化，使得SiC前体多型的选择极其重要。

　　Chabi带领她的团队首次展示了通过自上而下的方法（特别是湿剥离方法）成功地将2D SiC从块状SiC中分离出来。与许多其他2D材料（如硅烯）不同的是，所制备的2D SiC纳米片具有环境稳定性，而且没有退化迹象。

　　2D-SiC也表现出有趣的拉曼行为，不同于块状SiC。结果表明，纳米片的厚度与纵向光学（LO）拉曼模的强度之间存在着很强的相关性。此外，所制备的二维碳化硅显示出可见光发射，表明其在发光器件和集成微电子电路中的潜在应用。

　　碳化硅是一种具有高热容量和高击穿电压的宽禁带半导体材料，是大功率电子、高温应用和量子信息处理的主导材料。例如，碳化硅被认为是后摩尔时代的理想材料解决方案。然而，所创建的2D SiC材料应在几个方面优于大块SiC。由于维数的降低，2D-SiC具有一系列不寻常的电子、光学和结构特性，例如直接宽带隙特性和埃级厚度，这对于下一代半导体非常重要。研究人员认为，鉴于碳化硅技术（如碳化硅晶片）的高度成熟，将二维碳化硅转化为实际设备的潜力是巨大的。