据欧洲电子资讯4月18日报道，英特尔已在其位于俄勒冈州希尔斯伯勒的D1工厂与欧洲研究团队Qtech（代尔夫特技术大学（TU-DFT）和荷兰应用科学研究组织（TNO）的合作组织）合作制造“硅量子比特”。这是该工厂首次大规模制造量子比特。英特尔称，该公司可以生产超过1万个具有多个硅量子位的阵列，同时晶圆良率达到95%或更高。
量子点位于Si/SiO2界面，允许良好的隧道势垒控制，这是容错双量子比特门的关键特性。在少电子区使用磁共振的单自旋量子比特操作显示弛豫时间在1T超过1s和相干时间超过3ms。
这项研究发表在《自然电子》（Nature Electronics）杂志上，是英特尔首次通过同行评审证明在300毫米硅上成功制造量子比特的研究。
该工艺使用全光光刻技术生产硅自旋量子比特，与生产英特尔CMOS芯片的设备相同。这是量子处理器向前迈出的关键一步，表明量子比特最终有可能在同一工业制造设施中与传统芯片一起生产。
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