具有宽带探测能力的光电探测器在日常生活的许多领域中发挥重要作用，并已广泛应用于成像、光纤通信、夜视等领域。迄今为止，基于传统材料的光电探测器（如GaN 、Si和InGaAs）占据着从紫外到近红外区域的光电探测器市场。然而，相关材料复杂的生长过程和高昂的制造成本阻碍了这些探测器的进一步发展。为了应对这些挑战，科学家致力于开发具有可调带隙、强光-物质相互作用且易于集成的二维材料光电探测器。 

　　如今，许多二维材料如石墨烯、黑磷和碲等已表现出优异的宽带光探测能力。尽管如此，目前基于二维材料的高性能宽带光电探测器数量仍然有限，特别是许多基于二维材料的光电探测器虽然表现出较高的光响应度和探测率，但响应速度较慢，这或归因于其较长的载流子寿命，这种较低的响应速度限制了二维光电探测器的实际应用。近日，石墨烯、黑磷和部分过渡金属二硫属化物（TMDs）范德华异质结器件已展现出二维材料在高速宽带光电探测领域的潜力。然而，石墨烯是一种零带隙材料，黑磷在环境条件下不稳定，TMDs异质结的制造工艺相对复杂，这限制了这些材料在光电探测领域的应用。 

　　基于层状InSiTe₃光电探测器的（a）光谱响应与 （b）已经报道的部分二维材料光电探测器的性能对比图