近年来，随着晶体管的物理尺寸进入纳米尺度，电子迁移率降低、漏电流增大、静态功耗增大等短沟道效应越来越严重，新结构和新材料的开发迫在眉睫。在极短栅长晶体管方面，学术界此前作出了很多探索。2016年，美国劳伦斯·伯克利国家实验室和斯坦福大学在《科学》报道了基于金属性碳纳米管材料实现了物理栅长为1纳米的平面硫化钼晶体管。

　　为进一步突破1纳米以下栅长晶体管的瓶颈，任天令研究团队利用石墨烯薄膜超薄的单原子层厚度和优异的导电性能作为栅极，通过石墨烯侧向电场控制垂直的二硫化钼沟道的开关，使等效的物理栅长度降为0.34纳米，然后通过在石墨烯表面沉积金属铝并使其自然氧化，完成了对石墨烯垂直方向电场的屏蔽。此后，科研人员使用原子层沉积的二氧化铪作为栅极介质、化学气相沉积的单层二维二硫化钼作为沟道，最终完成了具有亚1纳米栅极长度的晶体管。

　　研究发现，相较于体硅材料，单层二维二硫化钼具有更大的有效电子质量和更低的介电常数。在亚1纳米物理栅长的控制下，晶体管能有效开启、关闭，其关态电流在pA量级。

　　基于工艺计算机辅助设计的仿真结果进一步表明石墨烯边缘电场对垂直二硫化钼沟道的有效调控，预测了在同时缩短沟道长度条件下晶体管的电学性能情况。研究人员表示，这项工作推动了摩尔定律进一步发展到亚1纳米级别，同时为二维薄膜在未来集成电路的应用提供了参考依据。

　　相关论文信息：https://doi.org/10.1038/s41586-021-04323-3