光刻机是半导体行业的明珠，美国希望在这个领域牢牢掌握主动权，因此对中俄等均进行严格的限制和制裁，中国一直没有最先进的EUV光刻机，最近格科微引进的先进ArF光刻机也只是DUV的一种。而在俄乌冲突之际，昨天，美国更是对俄罗斯最大的芯片企业Mikron进行全方位制裁。近日，有消息称：俄罗斯将研发当前全球最先进的EUV光刻机，或许比ASML的EUV光刻机性能更先进。

　　据报道，俄罗斯莫斯科电子技术学院 (MIET)承接了贸工部开发制造芯片的光刻机项目，该项目由俄罗斯政府首期投资6.7亿卢布资金（约合5100万元人民币）。研发的光刻机计划达到EUV级别，但技术原理完全不同，是基于同步加速器和/或等离子体源”的无掩模X射线光刻机。

　　“MIET已经在无掩模EUV光刻领域取得了进展，包括与国内其他科研机构和科学家团体联合开展的研究。该项目还将涉及 Zelenograd 公司 ESTO 和 Zelenograd 同步加速器，现在是国家研究中心库尔恰托夫研究所的技术储存综合体 (TNK) Zelenograd。

　　“基于在该国运行和发射的同步加速器，特别是在 TNK Zelenograd 的同步加速器以及国内等离子源的基础上，创造技术和设备，将使处理具有设计标准的半导体晶片成为可能28 nm、16 nm 及以下，”声明说。招标文件包含这项研究工作（研发）的要求。“无掩模X射线纳米光刻技术和正在开发的设备在国内和世界上都没有类似物。”

　　工贸部与 MIET 签订的合同价格为 6.7 亿卢布。

　　“我们谈论的是长期的研发工作，从好的方面来说，这应该在 15 年前就开始了，”关于这个项目的 Stimulus 杂志出版物的作者 Alexander Mechanik说。”

　　俄罗斯光刻机技术

　　目前，EUV光刻机全球只有ASML公司能够研发、生产，但它的技术限制也很多，俄罗斯计划开发全新的EUV光刻机，使用的将是X射线技术，不需要光掩模就能生产芯片。

　　光刻机的架构及技术很复杂，不过决定光刻机分辨率的主要因素就是三点，分别是常数K、光源波长及物镜的数值孔径，波长越短，分辨率就越高，现在的EUV光刻机使用的是极紫外光EUV，波长13.5nm，可以用于制造7nm及以下的先进工艺工艺。　　

　　技术优势

　　X射线光刻机使用的是X射线，波长介于0.01nm到10nm之间，比EUV极紫外光还要短，因此光刻分辨率要高很多。

　　此外，X射线光刻机相比现在的EUV光刻机还有一个优势，那就是不需要光掩模版，可以直写光刻，这也节省了一大笔费用。

　　正因为有这么两个特点，俄罗斯要研发的X射线光刻机优势很大，甚至被当地的媒体宣传为全球都没有的光刻机，ASML也做不到。

　　从相关资料来看，全球确实没有能达到规模量产的X射线光刻机，不过这种技术并不是现在才有，不仅美国、欧洲研究过，国内也有科研机构做了X射线光刻机，只是生产芯片的效率跟ASML的光刻机不能比的，只适合特定场景。

　　不过俄罗斯在X射线及等离子之类的技术上有着深厚的基础。

　　俄罗斯研发EUV的成功概率有多大？

　　俄罗斯的半导体芯片产业并不发达，但是并不代表俄罗斯的科技能力差。众所周知，俄罗斯拥有全世界最顶尖的数学人才，华为俄罗斯研发中心都聘请了数名顶尖俄罗斯数学家，坊间盛传当年华为3G技术的突破就是得益于一位俄罗斯数学家“小哥”的SingleRAN 算法。

　　因此，尽管业界并不看好俄罗斯研发EUV光刻机的前景，但有着丰富技术人才的俄罗斯并不是不可能，况且，俄罗斯真金白银投资6.7亿卢布资金（约合5100万元人民币），对于发达国家来说虽然很少，但首期投入这么多资金，对于俄罗斯的薪资水平和试验设备来说是不低的。

　　同时，笔者Challey认为，如果俄罗斯真的投入研发，很多其他国家，譬如中国，或许会加入俄罗斯的EUV光刻机研发之中，以打破欧美对于最先进芯片技术的垄断。

　　但是，另一方面，据估计，自俄乌冲突以来，有多达7万名计算机专家被突然出现的商业和政治气候的冰霜所吓倒并离开了俄罗斯。

　　或许，俄罗斯未来需要担心的不是资金，而是人才能不能回流。

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