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科研人员发展出新型聚合物半导体交联剂
2024-12-05
高迁移率聚合物半导体的设计合成已取得进展,但将聚合物半导体的可溶液加工、本征柔性这些独特性质应用于集成电路面临困难。在集成电路中,对聚合物半导体进行图案化加工,可以降低漏电流,避免相邻器件间的串扰,降低电路整体功耗。目前,可控光化学交联技术是与现有微电子工业光刻工艺相兼容的图案化方式。特别是,发展高效的...
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新型光芯片可执行深度神经网络关键计算
2024-12-03
12月2日发表在《自然·光子学》杂志上的论文称,美国麻省理工学院科学家开发出一种全集成光芯片。它能以光学方式执行深度神经网络所需的所有关键计算,为制造能实时学习的高速处理器打开了大门。这种新型光芯片能够在不到半纳秒的时间内,完成机器学习分类任务的关键计算,性能与传统硬件相当。该芯片由相互连接的模块组成,...
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夏培肃：被刻在国产芯片上的“计算机女神”
2024-11-22
许多人恐怕不知道,出身教育世家、一生恬静淡然的中国计算机事业奠基人夏培肃,年轻时是如何的血气方刚。1947年夏天的一个夜里,国民党的骑兵队包围了当时的国立交通大学,到校内各处抓人。特务们搜查到女生宿舍,蛮横叫门。此时,国立交通大学电信研究所唯一的女研究生夏培肃就在门后。她很气愤,故意不给开门。一个特务从气窗...
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科学的七个瞬间
2024-11-11
2024年是中华人民共和国成立75周年，也是中国科学院成立75周年。从“向科学进军”到“建设创新型国家”，从“创新驱动发展”到“建设科技强国”，几代中国科学家风雨兼程、朝夕不倦，铺就了一条闪亮的科技自立自强之路。为庆祝中国科学院建院75周年，中国科学院新闻办公室联合中央广播电视总台影视剧纪录片中心共同策划...
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微电子所在GaN器件研究方面取得重要进展
2024-10-08
近期,微电子所高频高压中心GaN研究团队在刘新宇研究员带领下,在高频高效率器件、限幅器、电源驱动电路等研究方向进行了创新性研究和探索,取得了重要进展。在高频高效率器件方向,团队采用LP-SiN结合ALD超薄栅介质技术制备的0.15μm 栅长AlGaN/GaN毫米波 MIS-HEMT功率器件,解决了现有HEMT器件肖特基漏电大、效率低的问题,...
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微电子所在光子集成激光探感技术方面取得进展
2024-09-20
激光探测感知技术一直是科技领域的前沿热点,在航空航天、智能驾驶等众多领域有着广泛而重要的应用。微电子所以应用做牵引,聚焦光子集成激光探感技术的发展方向,重点在单光子激光雷达(Single Photon LiDAR,SPL)、高精度调频连续波(Frequency Modulated Continuous Wave,FMCW)激光探测以及片上集成激光雷达等方面开展技术...
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微电子所在795nm窄线宽VCSEL方面取得新进展
2024-09-20
垂直腔面发射激光器(VCSELs)具有体积小、阈值电流低、波长随温度稳定、圆形光束和高可靠性等优点,是原子钟、原子磁力仪、原子陀螺仪等核心光源。但传统VCSEL的光谱线宽较宽,一般为50-100 MHz,无法与自然原子线宽(铯为5 MHz)匹配,限制了原子传感系统性能的进一步提升。近日,微电子所吴德馨院士团队提出了一种新型的纵向多...
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“双线并进”创新突围，提升核心技术攻关能力
2024-09-04
当前,新一轮科技革命和产业变革深入发展,科技革命与大国博弈相互交织。习近平总书记在全国科技大会、国家科学技术奖励大会、两院院士大会上的重要讲话系统阐明了新形势下加快建设科技强国的基本内涵和主要任务,强调要全面深化科技体制机制改革,充分激发创新创造活力。“如果把科技创新比作我国发展的新引擎,那么改革就是...
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中国科学院深入学习宣传贯彻党的二十届三中全会精神
2024-08-28
中共中央总书记、国家主席、中央军委主席习近平近日就中央和国家机关学习贯彻党的二十届三中全会精神、推动机关党建高质量发展作出重要指示强调，学习好贯彻好党的二十届三中全会精神是当前和今后一个时期全党全国的一项重大政治任务，中央和国家机关是贯彻落实党中央决策部署的“最初一公里”，要在学习宣传贯彻全会精...
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微电子所在有机感内计算方面取得新进展
2024-08-22
随着人工智能技术的飞速发展，传感器数据量的激增对数据处理速度和能效提出了严峻挑战。传统的传感器架构（如冯·诺依曼架构）将传感、计算和存储单元物理分离，其大量的数据转换和传输进一步增加了能耗和时间延迟。为应对这一挑战，科研人员提出了一种先进的传感器架构——感内计算技术，能够在传感器层面同时进行图...
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微电子所在新型氧化物薄膜晶体管研究方面取得进展
2024-07-30
氧化物随即存储器因其较长的保持时间和有利于三维堆叠的优点,成为国际学术和产业界的关注点,其中In2O3-基薄膜晶体管由于其高迁移率而备受关注。In2O3中氧的不稳定性直接影响到器件的可靠性,为克服这一问题,传统的Ga或Zn掺杂需要较高的掺杂浓度,在提升器件可靠性的同时减低了迁移率。因此,需要提出更新的氧化物半导体材料...
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微电子所在高性能锁相环芯片方面取得新进展
2024-07-16
近日,2024 IEEE Symposium on VLSI Technology & Circuits在美国召开,微电子所抗辐照器件技术重点实验室李博研究员、杨尊松研究员团队在会上展示了高性能锁相环芯片的最新研究进展。网路数据交互量爆炸式增长,促使通信技术的不断进步,5.5G、6G、224Gb/s高速接口电路等新一代通信系统要求锁相环频率综合器的RMS抖动小于50...
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微电子所在基于IGZO和CMOS的可重构混合电路架构上取得进展
2024-07-11
当前,人工智能(AI)算法发展逐渐多样化,包括深度神经网络,Transformer,推荐系统和图卷积网络等。在AI算法中,乘加运算和内容搜索是其中的两种主要操作。在电路架构方面,存内计算(CIM)和内容可寻址存储器(CAM)分别可有效执行乘加运算和内容搜索操作。但目前基于SRAM/RRAM等器件实现CIM/CAM的硬件架构仍存在一些局限,现有架...
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微电子所在存内计算处理器上取得进展
2024-07-09
存内计算(CIM)芯片相比传统冯诺依曼架构芯片在宏单元层级实现了高能效,但系统层级的复杂周边电路使得系统能效仍然受限,系统/宏单元能效比通常低40%,使其在面向神经网络和推荐系统应用领域仍然存在一些挑战。此外,对存储主导(例如推荐系统的嵌入层)的操作,需要大量的片外访问,由于嵌入表不能被完全存储到片上,即使采用内...
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微电子所在新结构p-GaN栅极HEMT器件和电路级可靠性研究方面取得重要进展
2024-07-08
近日，中国科学院微电子所高频高压中心GaN功率电子器件研发团队的2篇论文入选第36届功率半导体器件和集成电路国际会议（ISPSD），其中戴心玥博士的口头报告“An Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMT withIsland-Ohmic p-GaN featuring stable thresholdvoltage and large gate swing”荣获大会唯一最佳青年学者奖（ISPSD Ch...
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微电子所在高吞吐率SRAM存内计算处理器芯片领域取得进展
2024-07-07
目前,ChatGPT等大型AI算法的出现对计算设备性能提出了更高要求。存内计算(CIM)有效缓解了传统冯诺依曼架构中的内存墙问题。尽管无法完全解决存储墙问题,但CIM架构通过定制化设计方法将存储单元和计算电路结合在一起,本质上提高了操作数的传输带宽,大大降低了这部分数据的传输代价。近年来,许多具有高计算能效的数字CIM架...
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微电子所在IGZO DRAM后道集成的三维存储研究领域上取得进展
2024-07-06
人工智能的飞速发展对计算和存储等硬件资源提出了巨大需求,迫切需要提升存储器层级访问的性能与效率。当前,主流计算硬件的存储系统由片上静态随机访问存储器(SRAM)以及片下随机动态存储器(DRAM)构成,它们之间通过有限的总线来进行数据传递,导致带宽有限、功耗与延迟较大等问题,逐渐成为大数据、高算力等人工智能应用的瓶...
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【新闻联播】凝聚创新合力 为建成科技强国宏伟目标奋勇前进
2024-06-25
全国科技大会、国家科学技术奖励大会和中国科学院第二十一次院士大会、中国工程院第十七次院士大会24日上午在人民大会堂隆重召开。中共中央总书记、国家主席、中央军委主席习近平出席大会,为国家最高科学技术奖获得者等颁奖并发表重要讲话。他强调,科技兴则民族兴,科技强则国家强。中国式现代化要靠科技现代化作支撑,实...
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【新闻联播】锚定战略目标 抓好重点任务 确保如期建成科技强国
2024-06-25
6月25日上午,全国科技大会和两院院士大会第二次全体会议在北京举行。中共中央政治局常委、中央科技委员会主任丁薛祥出席会议并作总结讲话。 丁薛祥指出,习近平总书记发表重要讲话,为新时代新征程推动科技事业发展提供了根本遵循和行动指南。我们要切实把思想认识和行动统一到习近平总书记重要讲话精神上来,深刻领悟“两...
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欧洲核子中心ATLAS国际合作组代表团访问微电子所
2024-06-21
5月12日,欧洲核子中心大型强子对撞机实验ATLAS国际合作组发言人Andreas Hoecker、ATLAS资源调配负责人David Francis、ATLAS探测器升级项目负责人Benedetto Gorini、ATLAS高颗粒度时间探测器项目经理Joao Guimaraes da Costa访问微电子所。微电子所副所长罗军及微电子所先导中心、高能所实验物理中心部分科研骨干参加了交...
综合新闻