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单光子层面实现光束精准控制
2025-11-27
美国普渡大学研究团队实现了单光子层面精准控制光束，并以此研发出一种能在单光子强度下工作的“光子晶体管”，这是实现光基技术全部潜力的关键一步，可为光子芯片研发与量子计算研究铺平道路。相关成果发表在最新一期《自然-纳米技术》期刊上。 从光纤通信到量子传感器，光子技术支撑着数字世界的运行。而随着对更快、...
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微电子研究所召开新一届行政领导班子宣布会议
2025-11-25
2025年11月24日上午,中国科学院微电子研究所召开新一届行政领导班子宣布会议。中国科学院人事局局长房自正、副局长蔡宏志、领导干部二处处长宋琦出席会议。微电子所领导班子成员、党委委员、纪委委员、科研和管理骨干等70余人参加会议。会议由房自正主持。房自正宣读了《中共中国科学院党组关于戴博伟等同志任职的通知》...
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研究发现石墨烯中载流子浓度的尺寸依赖效应
2025-11-20
提高量子电阻芯片中霍尔器件的集成密度,是实现量子电阻多量值的关键。然而,霍尔器件尺寸微缩是否影响石墨烯基量子电阻性能,成为该领域亟待研究的科学问题之一。针对上述问题,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究团队,在同一石墨烯单晶衬底上,制备出具有不同沟道宽度的霍尔器件。实验结果表明,宽度减小导致实现完全...
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4英寸金刚石“自支撑”超薄膜快速制备成功实现
2025-11-14
金刚石具有的优异的导热和绝缘等性能,成为新一代大功率芯片和器件散热的关键材料。将芯片直接与金刚石键合来降低结温,被视为高性能芯片及3D封装的理想热管理方案。通常,金刚石薄膜合成是以Si作为基板材料,合成后通过化学刻蚀去除Si基板进而得到金刚石“自支撑”薄膜。此前,中国科学院宁波材料技术与工程研究所研发团队,...
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【中国科学报】“负能界面”金属有望突破纳米金属极限
2025-11-14
为了破解困扰材料学界多年的“尺寸软化”难题,中国科学院金属研究所研究团队与辽宁材料实验室研究团队合作,提出并实现了“纳米负能界面”强化新策略,在镍基合金中成功构筑极高密度稳定界面,显著提升材料刚度,使材料强度逼近理论极限。相关研究成果近日发表于《科学》。金属是由无数个微小的像冰糖块一样的晶粒组成的,晶...
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【科技日报】新型超材料实现电场热场同时“听指挥”
2025-11-14
记者11月10日从中国科学技术大学获悉,该校超材料研究团队创新性提出了一种电热晶格超材料,并首次通过单一结构平台,实现对电场和热场的协同与独立编程调控,破解了多物理场耦合调控的核心难题。相关研究成果日前发表于国际期刊《先进材料》。在智能能源管理、高性能电子器件等众多高端技术领域,往往需要同时对电场和热场进...
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【中国科学报】迄今最大规模量子点混合集成光量子芯片构建成功
2025-11-11
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员张加祥、欧欣团队与中山大学教授刘进团队、中国科学技术大学教授霍永恒团队合作,首次在混合集成光量子芯片上实现了空间上分离的量子点单光子源之间的片上量子干涉互联,为构建可扩展的片上量子网络奠定了重要基础。相关研究成果近日发表于《自然-材料》。与传统微电子芯片发展...
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三维有机无机杂化半导体激子特性研究取得进展
2025-11-11
激子是半导体中最基本的准粒子之一,是发展高效率光电器件和量子技术的核心。在传统三维半导体中,激子束缚能通常较弱,极大地限制了其在室温激子器件及量子科技应用中的发展。β-ZnTe(en)0.5是一种长程有序且稳定的三维有机—无机杂化半导体,该材料可能具有巨大的激子束缚能。最近,中国科学院半导体研究所研究员谭平恒团队...
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研究实现二维半导体晶圆的直接键合
2025-11-10
二维半导体被视为未来集成电路的关键沟道材料。然而,具有可控层数和转角的高质量、晶圆级二维半导体堆叠结构的制备却颇具挑战性。近日,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心张广宇研究团队等,开发出直接晶圆键合及解键合方法,制备出高质量、晶圆级二维半导体叠层。该方法可在真空或手套箱中进行,无需转移介...
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三名量子物理学家获2025年诺贝尔物理学奖
2025-10-07
在量子力学诞生百年之际，瑞典皇家科学院7日宣布，将2025年诺贝尔物理学奖授予约翰·克拉克、米歇尔·H·德沃雷和约翰·M·马蒂尼斯三名量子物理学家，以表彰他们在电路中实现宏观量子力学隧穿效应和能量量子化方面的贡献。瑞典皇家科学院常任秘书汉斯·埃勒格伦当天在皇家科学院会议厅公布了获奖者名单及主要成就。诺贝...
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中国科学院召开抢占科技制高点重大科技任务2025年度第三次工作推进会
2025-09-19
9月14日,中国科学院召开抢占科技制高点重大科技任务2025年度第三次工作推进会。中国科学院院长、党组书记侯建国出席会议并讲话,副院长、党组副书记吴朝晖主持会议,院领导班子其他成员出席会议。会上,发展规划局报告了重大科技任务监督检查情况,监督与审计局通报了在线审计发现问题,各重大科技任务负责人报告了2025年度重...
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弘扬实干奋斗精神 激发创新创造活力 为推进首都高质量发展凝聚更多智慧和力量
2025-09-19
9月18日下午,首都产业一线科技人才走进高校系列宣讲启动。这次系列宣讲,由21位市级领导同志和12个产业领域的36位科技人才,走进大学、走上讲堂,讲形势任务、讲发展成就、讲奋斗贡献。市委书记尹力来到中国科学院大学雁栖湖校区出席启动仪式暨首场宣讲。他强调,要深入贯彻落实习近平总书记对北京重要讲话精神,充分发挥首都...
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微电子所在铁电二极管噪声研究及应用方面取得进展
2025-09-15
边缘人工智能系统因其密集的计算需求,对高质量的随机熵源有着较高要求。传统熵源会随温度变化以及频率增加而衰减。中国科学院微电子研究所集成电路制造技术全国重点实验室科研团队在研究中发现,铁电二极管(Fe-diode)的噪声特性完美契合具有高频和剧烈温度变化的边缘系统。团队从器件物理层面通过调控阻态以及读取电压稳...
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微电子所在POSIT浮点数SRAM存内计算宏芯片领域取得进展
2025-09-11
POSIT是一种新兴的浮点数格式,可更加高效地在不同数值范围内分配精度。其接近0值的数据可获得更高的计算精度,而对于极大或极小的数据值可适当舍弃一些精度以换取更大的数据表示范围。这种动态精度分配的特性非常适合AI算法,在相同数据位宽下(如POSIT8相比INT8)能实现更好的算法性能。此前,研究者针对POSIT的特殊格式设计...
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微电子所研发成功互补单晶硅垂直沟道晶体管（CVFET）
2025-08-29
根据国际器件和系统路线图(IRDS2023),在集成电路逻辑技术领域,互补场效晶体管(CFET)是继FinFET和水平GAA之后的下一代晶体管架构。CFET技术通过将NMOS与PMOS器件垂直堆叠,改变传统平面工艺或FinFET/GAA的水平布局模式,在更小的空间内实现更高的集成密度和更佳的性能。近日,微电子所基于自主研发的垂直沟道技术,提出和研制...
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【科技日报】自旋电子器件节能机制发现
2025-08-22
随着人工智能与大数据技术的飞速发展,传统电子技术正日益逼近其性能极限。当芯片上集成的元器件越来越多、越来越密时,其总功耗和发热量会急剧上升,而当元器件密度太高,散热跟不上时,就无法再通过增加元器件来提升性能,仿佛撞上了一堵由功耗和热量组成的无形之墙——“功耗墙”。如今,“功耗墙”已成为行业发展的关键瓶颈...
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中国科学院传达2025年夏季党组扩大会议精神
2025-08-21
8月20日,中国科学院召开2025年夏季党组扩大会议精神传达会。中国科学院院长、党组书记侯建国代表院党组作传达讲话,并就全院贯彻落实工作作出部署。中国科学院副院长、党组副书记吴朝晖主持会议。院领导班子成员、部分院老领导出席会议。侯建国指出,2025年夏季党组扩大会议是在“十四五”即将收官、“十五五”谋篇布局,全...
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2025中国国际低温键合3D集成技术研讨会成功举办
2025-08-12
大会由中国科学院微电子研究所、先进微系统集成协会、西安电子科技大学、中国电子学会、中国电子材料行业协会、青禾晶元半导体科技(集团)有限责任公司共同主办,由IEEE EPS北京分会、天津国家芯火双创平台、中国科学院微电子研究所-香港科技大学微电子联合实验室共同协办。西安电子科技大学郝跃教授、武汉大学刘胜教授、...
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光量子芯片间量子受控非门隐形传输首次实现
2025-07-22
中国科学技术大学郭光灿院士团队的任希锋教授研究组首次成功实现了两个光量子集成芯片之间的量子受控非门(CNOT门)隐形传输。相关研究成果日前发表于《物理评论快报》。构建大规模量子网络的关键在于实现高集成度、可扩展的量子节点,以及节点间高保真度的量子互联。光量子集成芯片是实现此网络极具前景的平台。在此网络中...
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马衍伟：推动高温超导材料产业创新发展
2025-07-01
近年来,随着超导技术在能源、医疗、交通等领域的应用取得重大突破,高温超导产业呈现材料与应用相互促进的发展态势。产业既迎来重大发展机遇,也面临诸多挑战,亟待产学研协同发力,加快产业化发展,抢占产业制高点,为满足高场强电领域的重大战略需求提供保障。超导材料具有零电阻和完全抗磁性等性质,可实现常规材料无法实现...
综合新闻