开幕式上，杨德仁、浙江大学副校长严建华分别致辞。会议设有8个邀请报告，介绍了后摩尔时代微电子技术领域面临的挑战、利用范德瓦尔斯相互作用实现人工二维异质结并制备高性能器件的新方法、溶液法制备半导体量子点过程中遇到的科学问题及解决方法、InAs/GaSb异质结构中的自旋量子霍尔效应以及拓扑超流态的研究进展、室温下钙钛矿半导体中的极化激子凝聚现象、低维半导体器件在空间光电技术中的应用、使用光子纠缠态实现量子通信和量子计算所面临的挑战等。今年恰逢国家最高科学技术奖获得者、中科院院士黄昆100周年诞辰，中科院院士朱邦芬作了专题纪念报告。

　　会议设有9个分会场，包括：半导体自旋物理与拓扑现象、半导体纳米/量子结构及器件物理、半导体表面/界面物理与半导体材料生长和表征、硅基半导体与器件物理、宽带隙半导体与器件物理、二维层状材料及器件物理、有机与钙钛矿半导体物理及器件、红外太赫兹和毫米波半导体材料及器件物理、半导体物理与器件的其他问题，包含176个分会邀请报告、205个口头报告。会议张贴学术交流海报252个，并从中评选出20个优秀报告奖。

　　闭幕式上，新一届半导体物理专业委员会主任王开友介绍了委员会及半导体物理学术会议相关情况。会议期间还召开了中国物理学会半导体物理专业委员会（扩大）工作会议，研讨未来几年的工作计划，重点讨论了2021年承办第23届全国半导体物理学术会议的相关事宜以及2023年遴选规则，提议根据此次会议内容撰写我国半导体科技发展规划等。

　　中科院院士黄如、沈学础、朱诗尧等国内专家学者、青年学生、科技企业代表，国际纯物理与应用物理联合会（IUPAP）代表等1200余人参加此次会议。

　　全国半导体物理学术会议是由中国物理学会半导体物理专业委员会主办的全国性会议，由黄昆于1977年倡导召开，每两年举办一次，于奇数年召开，与两年一次的国际半导体物理会议（偶数年召开）交错举行。会议旨在促进我国半导体物理研究领域学术交流，把握国际重大前沿发展动向，引导开展国内研究工作，提升我国半导体物理及相关学科的研究水平。下一届会议将由西安电子科技大学承办，于2021年7月召开。

　　会议现场