9月16日，国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“新型高密度存储材料与器件”项目中期检查工作在微电子所召开。 

　　在科技部高技术研究发展中心的组织下，项目责任专家云南大学柳清菊教授，上海交通大学邓涛教授；同行专家中国信息通信科技集团周彬教授级高工，北京工业大学岳明教授，北京科技大学于广华教授，北京师范大学夏钶教授；财务专家中国科学院高能物理研究所杨明婕高级会计师，中国科学院微生物研究所韩孝晶高级会计师共8位专家组成专家组对项目进行检查。项目牵头单位领导中国科学院微电子研究所叶甜春所长，王宇副所长，刘明院士，科技处李平处长，财务处薛彩荣处长；项目负责人刘琦研究员，课题负责人华中科技大学程晓敏教授，北京大学刘力锋教授，中国科学院宁波材料技术与工程研究所刘钢研究员，以及各合作单位成员共计30余人参加了检查。  

　　为进一步促进上下游项目间的深度联动，战略性先进电子材料重点专项“高密度阻变储存器材料及器件集成技术研究”的项目负责人张锋研究员也参加了本次中期检查。 

　　本次中期检查采取会议检查和现场检查相结合的方式。会上，微电子所叶甜春所长、刘新宇副所长分别致辞，对项目主管单位领导和专家组的到来表示欢迎。科技部高技术研究发展中心项目主管领导介绍了中期检查的要求和流程。项目负责人刘琦研究员汇报了项目的进展情况、配套支撑、组织管理、财务执行等。以柳清菊教授为组长的专家组审阅了项目中期检查资料，现场查验了实验工艺线，并进行了质询和讨论。经过两年的实施，项目组针对相变、阻变、新型铁电存储材料，选通材料器件与集成，以及多功能存储材料与器件开展了一系列研究工作。专家充分肯定了项目的中期进展，认为项目按任务书规定的研究路线和实施方案执行，完成了任务书规定的研究内容及中期预定目标。项目组同时对中期检查中暴露出来的问题进行了梳理，对项目后续的专利布局，指标的先进性论证等方面作提出了针对性建议。 

　　 科技部高技术研究发展中心卞曙光副主任对中期检查工作进行了总结，充分肯定了项目组的工作，认为项目工作完成出色，同意通过中期检查。他对后续工作提出了建议，希望在完成项目指标的基础上更进一步着眼于科学问题和创新点的凝练，充分发挥基础专项的支持作用。 

　　参会人员合影