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专利技术

  据美国著名专利咨询公司LexInnova 2016年度发布:在最先进的商用晶体管(FinFET)方面,微电子所的专利整体质量全球排名第一超越了世界最顶尖的半导体公司,包括美国IntelIBM、韩国三星、台湾台积电、日本SonyToshiba、欧洲英飞凌等。同时,专利申请量排名全球第十一,是中国大陆唯一进入世界前20的单位。(见《FinFET: Extending Moore’s Law》,2016LexInnova

  微电子所的FinFET专利组合在专利质量和专利数量的综合能力上具有了与世界主要半导体企业同等的地位,在我国集成电路知识产权领域实现了重大突破。微电子所在FinFET的高K金属栅、源漏接触、沟道工程等先进晶体管制造工艺必备的多项关键技术领域打破了国外半导体巨头在该技术领域的知识产权壁垒,在集成电路制造最新技术代的关键技术领域形成了较系统的知识产权布局并在国际上占据了一席之地。

    

  微电子所FinFET专利申请数量排名全球第11

  

  微电子所的FinFET专利质量排名全球第一

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