近日，973项目“超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究”2012年度总结大会在中科院微电子所召开。专家组成员中科院王越院士、吴德馨院士、郑有炓院士，哈尔滨工业大学副校长强文义教授，中科院微电子所所长叶甜春研究员及项目组科研人员参加了会议。该项目首席科学家刘新宇研究员和各子课题负责人、科研骨干汇报了项目的工作进展情况。

　　刘新宇研究员首先向专家组和与会人员介绍了该项目的研究背景、研究目标和年度项目进展情况。他指出，项目各课题不仅圆满完成了本年任务，并在四个重点领域取得了较大的突破：研制成功InGaAs NMOS与InGaSb PMOS原型器件，性能优于相同栅长Si CMOS器件，其中100nm InGaAs NMOS射频性能突破200 GHz，达到国际先进水平；采用路场结合、全局仿真局部优化的方法，在国内实现了多款3毫米波段电路；建立了自主的GaN毫米波器件成套工艺流程，开发了创新的U型栅结构，申请专利11项；开发了一套超高频数模混合电路设计方法，有效提高超高频电路的性能，并以此为基础开发出具有世界先进水平的GaAs基频率比较器和10GHz 8bit DDS，其中12.5GHz 频率比较器已经实现用户单位批量订货。

　　专家组对项目的各项进展表示满意。王越院士认为本项目已经获得了阶段性的成功，在后续工作上应该加强机理研究，在动态科研中探究机理问题，同时凝练方向，与应用需求结合，保持项目的长期健康发展。吴德馨院士表示，本项目的进展非常大，无论在机理还是应用上，均较第一期项目（本项目为973项目滚动第二期）有了长足进步，但距离国产化尚有一定距离，她希望各个课题组立足现有基础，注重同用户的应用需求绑定，彻底解决器件的可靠性、稳定性问题。郑有炓院士首先对项目的成果给予充分的肯定，他认为本项目学科跨度较大，各课题间应该加强互动，希望相关课题可以再串联出有显示度的成果来，满足国家需求，突出创新性。强文义教授认为各课题目前已经超前完成了任务要求，他提议各课题应更加注重协同创新，并将课题六更充分的集成到整个项目中去。

　　为了加强各课题的互动，充分的调动起青年科研人员的积极性，鼓励创新，项目组在此次会中还举办了“973项目青年科学家论坛”。课题负责人南京大学长江学者陆海教授、清华大学微电子学研究所副所长王燕教授等项目骨干展示了各课题最新的突出成果，为科研人员起到了良好的示范作用。

与会专家组成员和项目骨干合影