射频芯片及IP核
 研究内容:
        面向5G/6G通信、卫星通信、低成本片上雷达等系统对射频毫米波芯片及IP核的需求,在国家科技重大专项、国家自然科学基金等国家级和省部级项目支持下,开展低噪声放大器、功率放大器、压控振荡器和锁相环等单元电路以及硅基毫米波相控阵、射频收发机等射频SoC芯片研究。
 
 
研究成果:
      基于标准CMOS工艺、RF-SOI CMOS工艺以及SiGe BiCMOS等硅基工艺,开发完成多款宽带射频毫米波芯片,包括首款符合中国单载波超宽带标准的6-9GHz超宽带射频收发芯片,该芯片支持500MHz带宽,与清华大学合作完成芯片系统验证并开展产业化应用;与华为海思合作开发完成60GHz CMOS毫米波射频收发芯片,该芯片的相关核心IP授权给华为使用; 开发完成28GHz/39GHz 5G毫米波相控阵前端芯片,并与中国信息通信科技集团合作完成5G毫米波小基站验证。同时将开发的芯片进行IP化,具体包括功率放大器、低噪声放大器、开关、数控移相器、数控衰减器、滤波器等。通过射频器件IP核研究,化繁为简,缩短大规模系统芯片设计周期,提高系统芯片可靠性,快速地进行设计复用和创新迭代。
 
 
 
科研成果:获得中国通信学会技术发明一等奖,在IEEE Transaction等期刊和国际会议发表论文50余篇,获得授权发明专利30余项,参与制定国家标准2项,国际标准1项。