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微电子所在超宽带低噪声集成电路设计领域取得新进展
2025-01-15
近期,微电子所智能感知芯片与系统研发中心乔树山团队在超宽带低噪声单片集成电路研究方面取得重要进展。微弱信号处理链路对噪声极为敏感,低噪声放大器作为信号链路的关键元器件,决定了微弱信号的检测灵敏度。传统的低噪声芯片受晶体管的增益滚降、噪声和带宽相互制约的影响,导致各类系统的灵敏度和带宽无法满足信号多样...
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微电子所在高性能注入锁定时钟倍频器方面取得进展
2025-01-15
人工智能、机器学习、云计算等应用的发展推动了智算/数据中心交换网络数据传输速率的迅速增长,对高速有线收发机系统中的时钟倍频器的工作速度、抖动、面积和功耗等性能提出了更高的要求。基于环形振荡器的注入锁定时钟倍频器具有低抖动多相时钟产生、紧凑布局、高能效和高鲁棒性等优势,成为有线收发机系统中多相时钟产生...
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基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展
2024-12-25
近日,微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作,基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200V SiC MOSFET。当前,碳化硅(SiC)晶圆行业正持续扩大产能以满足不断增长的市场需求。但可用于MOSFET制造的无缺陷衬底(即“高质量”衬底)的成品率通常仅为40%-60%。在6-8英寸SiC...
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微电子所在智能目标检测方面取得新进展
2024-12-12
人工智能技术已广泛应用于目标检测、环境监测、矿物勘探等领域,尤其是遥感图像目标检测,具有数据量大、特征维数高、计算复杂度高的特点,其高精度实时目标检测与识别需求对无人机、卫星等部署平台的人工智能芯片提出了极大的算力与功耗挑战,亟需新型人工智能技术突破上述挑战。针对上述挑战,中国科学院微电子研究所乔树山...
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微电子所在SRAM存内计算领域取得新进展
2024-12-12
人工智能在图像识别、音频处理、自然语言处理、大模型等领域应用极为广泛。新兴智能应用对AI芯片的算力和能效提出了更高的要求。存内计算技术通过将存储与计算深度融合,能大幅度降低冗余的数据搬运,有效提升AI芯片能效。在各种存储介质中,SRAM具有工作电压低、读写速度快、读写功耗低,工艺兼容性好等显著优势,近年来,基...
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科研人员发展出新型聚合物半导体交联剂
2024-12-05
高迁移率聚合物半导体的设计合成已取得进展,但将聚合物半导体的可溶液加工、本征柔性这些独特性质应用于集成电路面临困难。在集成电路中,对聚合物半导体进行图案化加工,可以降低漏电流,避免相邻器件间的串扰,降低电路整体功耗。目前,可控光化学交联技术是与现有微电子工业光刻工艺相兼容的图案化方式。特别是,发展高效的...
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微电子所在忆阻神经-模糊硬件及应用探索方面取得新进展
2024-12-03
随着高性能神经网络需求的日益增长,神经-符号人工智能因其高度的可解释性和适应性,正吸引着越来越多的关注。它可以通过符号知识增强深度学习的推理和泛化,表现出优于深度学习的能力。但由于符号知识表示与计算的复杂性,设计并实现高效的神经-符号硬件仍面临算力、能效等诸多挑战。近日,微电子所集成电路制造技术重点实验...
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微电子所在半导体工艺建模方法方面取得进展
2024-11-15
近日，集成电路设计自动化领域国际顶级会议2024 ACM/IEEE International Conference on Computer-Aided Designs（ICCAD）在美国召开，微电子所EDA中心陈岚研究员团队在会上展示了半导体工艺建模方法方面的最新研究进展。目前工艺建模主要采用的是数据驱动模型和半物理模型两大方法。数据驱动模型在提高预测精度方面表现...
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上海高研院等实验证实二氧化钌非交变磁特性
2024-11-14
交变磁性是近年来提出的第三类基本磁相。交变磁性既有反铁磁体的零净磁场,又具有铁磁体的自旋劈裂现象。通常,两者被认为是不相容的。交变磁性兼具铁磁性和反铁磁性的优势,为制造自旋电子器件带来了新突破口,在磁存储和量子计算中展现出应用前景。在较多潜在的交变磁性材料中,金红石结构的二氧化钌(RuO2)因具备特殊的晶体...
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上海微系统所研制出超小型双通道集成二氧化碳红外气体传感器
2024-11-11
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员李铁团队在超小型二氧化碳（CO₂）气体传感器研制方面取得进展。该团队制备的传感器具有尺寸小、功耗适中、性能稳定、成本低以及在中红外波段发光效率高等特点，具备良好的抗湿性、稳定性和可重复性，在可穿戴呼吸监测应用中具有应用前景。相关研究成果以Ultra-compact...
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微电子所在先进工艺仿真方向取得重要进展
2024-11-11
环绕栅极晶体管(GAAFET)与传统FinFET工艺流程相比,引入了内侧墙(inner spacer)、沟道释放(channel release)等工艺,必须通过对叠层结构的精确横向刻蚀来实现。高精度刻蚀工艺控制是三维集成电路制造面临的最大挑战之一,其工艺机理和调控机制在科学界和工业界受到广泛关注。针对GAA内侧墙结构Si/SiGe叠层横向选择性刻蚀工...
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半导体所等提出免于退极化效应的光学声子软化新理论
2024-11-04
通过晶体管持续小型化以提升集成度的摩尔定律已接近物理极限,但主要问题在于晶体管功耗难以等比例降低。有研究提出,进一步降低功耗有两种途径。一是寻找拥有比二氧化铪(HfO2)更高介电常数和更大带隙的新型高k氧化物介电材料;二是采用铁电/电介质栅堆叠的负电容晶体管,降低晶体管的工作电压和功耗。氧化物高k介电常数和铁...
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宁波材料所等发展出n-i-p钙钛矿/晶硅叠层太阳电池
2024-10-17
钙钛矿/晶硅叠层太阳电池具有开发面向效率大于30%光伏组件的潜力，是光伏领域的研究热点。当前，隧穿氧化层钝化接触（TOPCon）硅太阳能电池采用晶体硅电池技术。这一技术兼具高效率、成本效益和大规模生产等优势。目前，如何研发基于TOPCon底电池的高效钙钛矿/晶硅叠层电池技术是光伏产业的重要问题。高质量的双面TOPCon...
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微电子所在GaN器件研究方面取得重要进展
2024-10-08
近期,微电子所高频高压中心GaN研究团队在刘新宇研究员带领下,在高频高效率器件、限幅器、电源驱动电路等研究方向进行了创新性研究和探索,取得了重要进展。在高频高效率器件方向,团队采用LP-SiN结合ALD超薄栅介质技术制备的0.15μm 栅长AlGaN/GaN毫米波 MIS-HEMT功率器件,解决了现有HEMT器件肖特基漏电大、效率低的问题,...
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微电子所在光子集成激光探感技术方面取得进展
2024-09-20
激光探测感知技术一直是科技领域的前沿热点,在航空航天、智能驾驶等众多领域有着广泛而重要的应用。微电子所以应用做牵引,聚焦光子集成激光探感技术的发展方向,重点在单光子激光雷达(Single Photon LiDAR,SPL)、高精度调频连续波(Frequency Modulated Continuous Wave,FMCW)激光探测以及片上集成激光雷达等方面开展技术...
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微电子所在795nm窄线宽VCSEL方面取得新进展
2024-09-20
垂直腔面发射激光器(VCSELs)具有体积小、阈值电流低、波长随温度稳定、圆形光束和高可靠性等优点,是原子钟、原子磁力仪、原子陀螺仪等核心光源。但传统VCSEL的光谱线宽较宽,一般为50-100 MHz,无法与自然原子线宽(铯为5 MHz)匹配,限制了原子传感系统性能的进一步提升。近日,微电子所吴德馨院士团队提出了一种新型的纵向多...
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化学所在分子诱导应力调节钙钛矿太阳能电池研究方面获进展
2024-09-19
钙钛矿薄膜制备过程中残余应力与缺陷导致紫外线易降解钙钛矿材料,降低钙钛矿太阳能电池的效率和稳定性,限制了钙钛矿光伏的产业应用。中国科学院化学研究所绿色印刷院重点实验室宋延林课题组利用具有紫外异构功能的分子为钙钛矿的“防晒霜”,并引入钙钛矿太阳能电池活性层。这可以保护钙钛矿太阳能电池免受紫外线损伤降解...
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福建物构所等在蓝光有机发光二极管研究中获进展
2024-09-14
超高清显示对有机发光二极管(OLED)的性能提出了越来越高的要求。近年来,多重共振型热活化延迟荧光(MR-TADF)材料因高效的窄带发射特性而得到发展,在实现高效率高色纯度OLED方面具有潜力。然而,MR-TADF分子通常表现出较长的激子寿命,使其器件特别是蓝光OLED的稳定性面临挑战。快速高效的激子利用是实现稳定高效蓝光器件的...
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苏州纳米所实现低对称光子晶体激子极化激元
2024-09-10
光与物质的相互作用是光子器件发展的基石。光与物质之间的耦合具有偏振敏感性。而偏振选择性可以为光与物质相互作用提供新的自由度。原子层级的二维过渡金属硫化物(TMD)具有室温稳定的激子效应,成为研究光与物质相互作用的理想材料平台。在弱耦合范畴,单层TMD与各向异性人工纳米结构集成可以通过近场耦合实现激子发光增...
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合肥研究院实现笼目晶格本征磁结构的直接观测
2024-09-06
近日，中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心陆轻铀课题组联合安徽大学的科研人员，利用稳态强磁场实验装置超灵敏磁力显微镜测量系统，结合电子顺磁共振谱学和微磁学模拟，实现对笼目晶格中本征磁结构的观测。相关研究成果发表在Advanced Science上。材料宏观性质主要由其内部电子决定，而电子的性质与晶格密不可...
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