总部位于东京的三菱电机公司将推出第二代全碳化硅（SiC）功率模块，该功率模块采用了最新开发的工业用SiC芯片。

　　组件模块中的SiC-MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和SiC-SBD（肖特基势垒二极管）芯片具有低功耗特性和高载频工作性能，从而有助于开发用于各种工业领域中的更高效、更小、更轻的动力设备器件。预计将于2021年1月开始在市场销售。

　　具体来说，结型场效应晶体管（JFET）掺杂技术与常规SiC产品相比，导通电阻降低了约15％，例如三菱电机的第一代SiC模块，具有相同的额定值，可用于工业用途。

　　减小镜电容，即MOSFET结构中栅极和漏极之间的杂散电容，可实现快速开关并降低开关损耗。

　　与三菱电机的传统硅绝缘栅双极晶体管（Si-IGBT）模块相比，内置的金属氧化物半导体场效应晶体管和肖特基势垒二极管有助于将功率损耗降低约70％。

　　三菱电机认为，降低功率损耗和高载波频率运行将有助于开发更小、更轻的外部组件，例如电抗器和冷却器等器件。