瑞士日内瓦的意法半导体（STMicroelectronics）在其MasterGaN平台基础上推出了MasterGaN2，MasterGaN2是新系列中的首款产品，其中包含两个非对称氮化镓（GaN）晶体管，可提供适用于软开关和有源整流转换器拓扑的集成GaN解决方案。

　　650V常关型GaN晶体管具有150mΩ和225mΩ的导通电阻（RDS（on））。意法半导体表示与优化的栅极驱动器结合在一起，使GaN技术易于使用，像制造普通硅器件一样。通过将先进的集成技术与GaN固有的性能优势相结合，MasterGaN2进一步提高了器件效率，并使尺寸减小和重量减轻，例如有源钳位反激式。

　　MasterGaN功率级封装（SiP）系列在同一封装中结合了两个GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）和相关的高压栅极驱动器，并内置了所有必要的保护机制。设计人员可以将外部设备直接连接到MasterGaN器件，外部设备包括霍尔传感器和控制器，例如DSP、FPGA或微控制器。意法半导体表示，这些输入与3.3V至15V的逻辑信号兼容，这有助于简化电路设计和物料清单，以及简化组装，可以实现更小的占位面积。这种集成有助于提高适配器和快速充电器的功率密度。

　　GaN技术正在推动快速USB-PD适配器和智能手机充电器的发展。意法半导体认为，MasterGaN器件可使这些器件的体积缩小到原来的80％，重量减轻到原来的70％，而充电速度是普通硅基解决方案的三倍。

　　内置保护机制包括低侧和高侧欠压锁定（UVLO）、栅极驱动器互锁、专用停机引脚和过热保护。9mm x 9mm x 1mm GQFN封装针对高压应用进行了优化，高压和低压焊盘之间的爬电距离超过2mm。

　　MasterGaN2现已开始生产，订购1000片的最低价格为6.50美元。