光电探测器以类似于光电晶体管的方式工作，在一对欧姆接触之间使用6μmx100μm的p-GaN光学栅极。30μmx100μmLED通过p-GaN阳极提供的空穴的复合产生光子，并从在AlGaN/GaN界面附近形成的二维电子气（2DEG）产生电子。在HEMT和HKUST光电探测器结构中，2DEG构成了可以通过外部手段控制其电阻的通道。

　　制造顺序为：制造用于LED阳极和光电探测器栅极的p-GaN图案；制造用于LED阴极和光电探测器AlGaN触点的钛/铝/镍/金欧姆接触沉积；氟离子注入隔离器件；用50nm等离子体增强化学气相沉积（PECVD）二氧化硅（SiO₂）钝化；在LED p-GaN阳极上进行透明的镍/金欧姆接触沉积和退火；厚的镍/金接触垫沉积。

　　在5V偏压下，该光电检测器在商用LED照明下（功率为0.024mW/cm²、波长为365nm），暗电流为3.9x10^-7mA/mm，光电流为0.43mA/mm。研究人员将光暗电流比为1.1x10⁶描述为“出色”。低暗电流归因于AlGaN/GaN界面处2DEG的耗尽，尽管施加了5V偏压，但仍在p-GaN层下方形成了高电阻率沟道。UV照明在栅极下方创建了导电的2DEG通道。光电探测器的“超高”响应度为3.5x10⁵A/W。

　　这些功能使光电探测器能够对芯片上小型LED光源的信号进行高灵敏度的光检测，即使其输出功率相对较低的也是如此。

　　LED具有约4.65V的高导通电压，由于横向进入区域的缘故，正向偏置下的电流注入往往会在约10V的高偏置下饱和。在10V下注入的电流为267A/cm²。LED的光谱峰值约为360nm波长，半峰全宽（FWHM）为7nm。

　　LED光电检测器组合在某种意义上以类似于晶体管的方式进行操作，其中LED偏置为栅极电势，光电检测器电流为沟道。在5V光电检测器偏置下，耦合效率（PD/LED电流比）为0.022，与已报道的其他器件相比非常好。

　　在使用Si MOSFET向LED注入电流的电路中测试了LED-PD系统的“频率响应”。对方波信号的响应的上升和下降时间分别为0.41s和0.36s。估计光电检测器的电阻电容延迟约为100ns，主要延迟因素似乎是AlGaN/GaN异质结构中的持久光电导效应。该团队计划优化p-GaN蚀刻步骤和钝化，以消除陷阱效应，从而提高响应速度。研究人员还建议，向光电检测器的p-GaN栅极增加偏压可能是获得更快响应的另一条途径。