除了量产碳化硅（SiC）器件和各种功能丰富的硅器件外，ROHM还开发了在中等耐压范围具有出色的高频工作性能的GaN器件，并且ROHM在其提高栅极-源极间额定电压的技术的基础上，一直致力于为各种应用提供更广泛的电源解决方案。

　　与硅器件相比，GaN器件具有更低的导通电阻值和更优异的高速开关性能，因而在基站和数据中心等领域作为有助于降低各种开关电源的功耗并实现小型化的器件被寄予厚望。然而，GaN器件的栅极-源极间额定电压较低，在开关工作期间可能会发生超过额定值的过冲电压，所以在产品可靠性方面一直存在很大的问题。

　　ROHM使用独创的结构成功地将栅极-源极间额定电压从的6V提高到8V，这将提高电源电路的设计裕度和可靠性。此外，ROHM开发出一种专用封装，不仅可以通过低寄生电感以最大限度地提高设备性能，并且还具有出色散热能力，便于安装，可以轻松更换现有的硅器件，简化安装过程中的操作。例如，可用于数据中心和基站的48V输入降压转换器电路；基站功率放大器块的升压转换器电路；D类音频放大器；以及便携式设备的光检测和测距（LiDAR）驱动电路和无线充电电路。

　　ROHM正在加快基于该技术的 GaN 器件的开发，预计于2021年9月即可开始提供产品样品。