新型激光二极管原型利用BluGlass独特的RPCVD隧道结技术，多年来开发用于高功率产品，包括激光二极管和高亮度LED。

　　BluGlass说，RPCVD隧道结激光二极管原型旨在实现更高功率和更高效的激光器，用于3D打印和工业焊接等商业应用，其激光性能良好，帮助确认RPCVD激光二极管设计的潜力，以满足高值氮化镓（GaN）激光二极管应用的关键性能要求。

　　GaN激光二极管的应用目前受到含镁p型层中光学和电阻损耗的限制，这导致转换效率低（通常为40-45%，而GaN基LED中的转换效率接近90%）。由于高电阻p型层，在操作GaN激光二极管时消耗的功率几乎有50%以热的形式损失，传统上需要在激光二极管中创建电路。

　　BluGlass表示，利用低温、低氢RPCVD生长的优势，其新方法可以消除对这些高电阻和性能损失的p型层的需求。支持RPCVD的新型设计将p型熔覆层替换为RPCVD隧道结和第二个n型熔覆层（双n波激光二极管），为未来显著改善激光二极管性能铺平了道路。

　　BluGlass表示，将继续优化其RPCVD隧道结激光二极管的设计、外延和制造，以最大限度地提高激光性能。

　　执行主席詹姆斯·沃克认为：“这是对我们独特的RPCVD和隧道连接技术潜力的重要验证。”这一成就证明了我们的领先团队在开发一系列创新激光二极管产品方面的努力，包括这一世界上第一个双n波激光器的演示，”他补充道。

　　“虽然这些新型激光器在未来RPCVD增强型产品发布之前需要进行重大开发，但我们的显著进一步的先进标准（MOCVD）激光二极管产品开发继续专注于解决可靠性问题，并在向等待的客户发布商业产品之前改进我们的下游生产。”