三星电子（Samsung Electronics）2020 年 3 月 25 日宣布，已经出货 100 万业界首款 10nm EUV级（D1x）DDR4 DRAM模组，并完成全球客户评估，这为今后高端 PC、手机、企业级服务器等应用领域开启新大门。

　　EUV（极紫外光刻）工艺是目前世界上最先进的芯片制造工艺，EUV光刻机也被认为是完成7nm以下制程的重要途径。三星率先将EUV工艺用到DRAM内存颗粒的生产上，可以在精度更高的光刻中减少多次图案化的重复步骤，并进一步提升产能。

　　三星表示，将从第四代 10nm级（D1a）DRAM或高端级14nm级 DRAM开始全面导入 EUV，明年基于 D1a大规模量产DDR5和LPDDR5内存芯片，预计会使 12 英寸晶圆的生产率翻番。

　　虽然目前支持 DDR5内存的PC平台还没有出现，不过内存芯片却在各大存储器大厂的推动下逐渐开始接近上市。三星量产的第一代EUV DDR5 DRAM 单芯片容量为 16Gb（2GB），地点是平泽市的 V2线。

　　除了 10nmEUV 工艺的存储芯片外，三星也正在推进5nm及以下制程的EUV工艺。外媒报道称，三星已经从半导体设备生产商那里订购了5nm 工艺生产的相关设备，目前已经开始在华城 V1 工厂内建立了一条 5nm 的晶圆代工生产线。据悉相关的设备组装需要两个多月，按照进度来看，今年 6 月份以前，三星应该能够安装完所有的设备。三星将在今年年底进行 5nm EUV 工艺的量产。在三星 5nm 正式量产后，将负责高通下一代 5nm 旗舰芯片和 X60 5G 基带芯片的生产。

　摘译自：

　　https://www.samsung.com/semiconductor/newsroom/news-events/samsung-announces-industrys-first-euv-dram-with-shipment-of-first-million-modules/