美国和中国的研究人员合作开发了具有低暗电流和高增益的（001）硅基单片砷化铟（InAs）量子点（QD）雪崩光电二极管（APD）结构。

　　该团队声称，该器件是首款具有低暗电流的硅单片InAs QD APD，适用于光纤O波段（1260-1360nm）通信。这些基于QD的APD享有与QD激光器共享相同的外延层和加工流程的优势，能促进与硅平台上激光源的集成。当考虑到高达323K（50°C）的高增益和低暗电流性能时，这些APD在超级计算机和数据中心内的节能互连中具有巨大的应用潜力。

　　实验中，击穿电压随温度升高表明，雪崩而不是隧穿是主要机制。研究人员指出，33nA暗电流值比Si/Ge APD，Si上的InGaAs / InAlAs APD和最近异质地集成在Si上的InAs QD APD降低了两个数量级以上。由于APD设备中的混合注入，噪声很大，需要进一步降低噪声。该团队打算使用分离吸收，电荷和倍增雪崩光电二极管（SACM-APD）结构，以降低噪声和提高速度。

　　对调制信号的响应显示，其3.dB带宽为2.26GHz，偏置电压为-6V，在-15.9V时减小至2.06GHz。研究人员将减少归因于较高的反向偏置下的雪崩累积时间。电阻电容（RC）限制的带宽估计为5.16GHz。研究人员计划使用半绝缘硅衬底或厚的苯并环丁烯（BCB）/ SU8层来改善RC性能，以减少寄生电容效应。

　　伪随机二进制序列调制在-3dBm~率下的性能产生了睁眼图，数据速率高达8Gbit/s。使用2.5Gbit/s序列时，在-15.9V偏置下，误码率（BER）显着降低。