InGaN发光二极管因其高效率、耐用性和低成本彻底改变了固态照明。可以通过改变InGaN中铟的浓度来改变LED的发射颜色，从而使InGaN LED能够覆盖整个可见光谱。与镓相比，铟含量相对较低的InGaN LED已在通信、工业和汽车应用中获得了巨大的成功，如在蓝色、绿色和青色LED。但是，随着铟含量的增加，具有较高铟浓度的LED的效率会下降，如红色和琥珀色LED。

　　当前红色和琥珀色LED使用磷化铝铟镓（AlInGaP）代替InGaN制成，由于效率下降导致InGaN在红色和琥珀色光谱方面的性能不佳，克服效率下降的问题是开发覆盖整个可见光谱InGaN LED的第一步。

　　在论文《揭示InGaN发光二极管中成分波动的起源》中提到，该将亚纳米分辨率的电子能量损失谱（EELS）成像与多尺度计算模型相结合，解成分波动的起因及其对InGaN LED效率的潜在影响。想要了解较高铟浓度的LED的效率下降的原因，准确确定组成波动至关重要。

　　SMART LEES的首席研究员兼美国国立大学教授Silvija Gradecak说：“迄今为止，高铟浓度InGaN LED效率下降的根源仍然未知，重要的是要了解这种效率下降，以创建能够克服这种效率下降的解决方案。为此，我们设计了一种方法，该方法能够检测和研究InGaN QW中的成分波动，以确定其在效率下降中的作用。”

　　研究人员开发了一种多方面的方法来检测InGaN量子阱中的铟成分波动，这种方法结合了互补的计算方法、先进的原子尺度表征和图像处理的自主算法。

　　研究发现，铟原子随机分布在铟含量相对较低的InGaN中。另一方面，在较高铟含量的InGaN中观察到部分相分离，其中随机的成分波动与富铟区域的凹坑同时发生。

　　研究人员认为，这些发现有助于人们进一步了解InGaN的原子微观结构及其对LED性能的潜在影响，有助于未来研究新一代InGaN LED中成分波动的作用。