目前器件与工艺仿真平台已具备优良的硬件条件和完善的软件部署，建立了针对FinFET，环栅纳米线，隧穿晶体管，负电容晶体管，以及新兴二维材料，拓扑绝缘体等量子材料和纳米器件的仿真计算解决方案。器件仿真方法包括传统漂移扩散方程，相空间波尔兹曼方程，非平衡格林函数电子输运计算方法，可满足器件性能优化设计，微观结构功能界面，原子尺度材料物性的跨尺度计算需求。工艺仿真主要针对先进CMOS工艺模块开发和整合，以有工艺库覆盖了半导体制造业界主流标准工艺步骤，如刻蚀、沉积、平坦化(CMP)、外延生长、离子注入以及热扩散等。同时可针对特殊工艺需求开发基于动力学蒙特卡洛方法或分子动力学方法的定制化解决方案。目前平台包括高性能CPU计算集群一个，拥有Intel Xeon系列物理核心284个，总内存18T，总存储空间26T，理论峰值计算速度18Tfloap. NVIDIA tesla V100 双路GPU服务器一台，图形工作站一台。