围绕新型半导体激光器及阵列和新型光子集成芯片的开发，开展新型光电材料、半导体光电器件物理、光子集成、光场操控等研究。面向下一代高速光互连、原子微系统、三维感知等应用，研制新型超高速直调、窄线宽、高功率面发射激光器及阵列；面向大容量光通信、光学加密、全息成像等应用，开发新一代低功耗、高稳定、微型化光子集成芯片。
课题组研究覆盖了光电材料与器件物理特性、外延生长、光学原理设计、光子集成技术、器件与芯片的测试表征、应用与可靠性研究全过程。具备半导体激光器的全流程制备工艺能力，开发出多款具备先进指标的VCSEL及集成器件。
代表成果：
1. Nineteen-element in-phase coherent vertical cavity surface-emitting laser array with low side lobe intensity, Optics Express, 2019, 27(2): 774-782.
2. Stable In-Phase Mode Operation in Coherent VCSEL Array with an Integrated Phase Shifter, IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67(7): 2819-2824.
3.190 High-Temperature Operation of 905nm VCSELs With High Performance, IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(6): 2829-2834.
4. Analysis of Thermal Properties of 940-nm Vertical Cavity Surface Emitting Laser Arrays, IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 68(1): 158-163.
高频高压器件与集成研发中心