电源管理芯片课题组

　　      电源管理芯片课题组持续开展高可靠SOI-BCD工艺研究、功率集成电路设计关键技术突破、抗辐射功率集成电路研制等工作。在多项重大工程、预先研究、人才专项等项目支持下，面向国家重大装备对电源管理、功率控制、功率驱动及智能化元器件的需求，开展智能功率开关、功率驱动器、高压模拟开关、功率驱动电路研究工作。在新器件及其辐照效应方面，开展了面向极端辐照环境的下一代功率1000V SOI-LIGBT高压工艺及器件技术研究，实现了全集成双极、CMOS、LIGBT、功率器件技术；在工艺方面，经过多年积累，建立起了抗辐射0.18um SOI-BCD工艺平台，基于高可靠SOI材料，实现器件和器件之间全介质物理隔离，最高工作电压达到了1000V；在电路方面，基于SOI-BCD 0.18um 工艺研制的抗辐射高速功率驱动电路KW4424为国内首款SOI基高等级宇航功率驱动电路。  　    

　　 研究方向：  

　　体硅BCD和SOI BCD工艺和器件研究；  

　　智能功率集成电路、智能高边功率开关、智能低边功率开关、功率驱动电路、高压模拟开关研究；  

　　功率器件研究。  　    

　　 课题组负责人：  

　　 蔡小五，中国科学院人才引进计划入选者、博士生导师、正高级工程师。 2008年7月博士毕业于中国科学院微电子研究所，获博士学位。先后担任香港应用科技研究院有限公司高级工程师、主任工程师,中国科学院微电子研究所硅器件中心研究员等高级职务。其中在香港应用科技研究院工作8年3个月，主要从事功率BCD工艺、智能功率集成电路、功率器件等研究工作。2016年入选“中国科学院高层次人才引进计划”，任硅器件与集成中心博士生导师。负责或参与了多项重要国家科技项目，国家自然科学基金委等项目，以及香港创新科技署种子项目、平台项目和企业合作项目等。  

　　课题组负责人邮箱：caixiaowu@ime.ac.cn