微电子所研究生刘佳、于伟泽研究成果被ICSICT-2010接收

　　日前，中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心（十室）09级研究生刘佳的“先进FinFET结构”最新研究成果和于伟泽的“非对称性的高k金属栅”最新研究成果，被11月于上海举行的国内微电子学领域最具影响力国际会议International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(ICSICT-2010)接收。

　　刘佳、于伟泽分别在集成电路先导工艺研发中心骆志炯研究员和尹海洲研究员的指导下，对先进FinFET结构和非对称性的高k金属栅进行了深入课题研究，并得到了02重大科技专项基金的支持。撰写的科研文章分别为Low Leakage Bulk Silicon Substrate Based SDOI FINFETs 和 Performance Optimization of n-MOSFETs Using Asymmetric Interfacial Oxide layer。