11月4日，中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心（十室）研究生刘佳在骆志炯研究员指导下完成的题为Low Leakage Bulk Silicon Substrate Based SDOI FINFETs的论文被International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(ICSICT-2010) 评为最佳学生论文。
刘佳在论文中对骆志炯研究员提出的SDOI FINFET器件结构做了大量深入研究工作，并取得了重要成果。该项研究工作得到了02重大科技专项的支持。
FINFET以其优秀的栅控能力及有效改善短沟效应等优点，成为32nm特征尺寸以后有力的候选器件。新型的SDOI FINFETs 结合了Bulk FINFETs 和 SOI FINFETs 的优点，可以实现低漏电并提高衬底散热能力。TCAD模拟表明，SDOI FINFETs 在取代平面MOS器件方面展现出广阔的应用前景。
ICSICT是在中国大陆举办的最具影响力的微电子学国际会议。该会议今年共收到来自28个国家的多所著名研究机构800多篇论文投稿，最终接受口头报告345个，展板报告295个。
研究生教育