11月20日,我所举行聘任宏力半导体公司(Grace Semiconductor Manufacture Corp.)副总裁孔蔚然为客座研究员仪式。孔蔚然副总裁在接受叶甜春所长颁发的聘书后为现场师生作了题为“Endurance Study of Si-Floating-Gate Flash Memory”的精彩报告,与大家进行了热烈的讨论与交流。
孔蔚然,1985年在南开大学获得物理学学士学位,于1993年和1995年在美国俄勒冈科技研究生院(Oregon Graduate Institute of Science & Technology )分别获得电子工程学硕士与应用物理学博士学位。他曾先后任职于schlumberger、ISSI、LSI Logic、Sun Microsystems,于2003年加入宏力半导体(GSMC),现任副总裁。
孔蔚然副总裁在宏力半导体(GSMC)期间领导并完成了多项关键技术和产品的研发工作,其中包括0.25/0.18μm NOR Flash,0.15μm LV Logic,0.12μm NOR Flash,0.25/0.18/0.15μm Embedded Flash。目前,微电子所微细加工与纳米技术研究室(三室)正与宏力半导体公司(GSMC)开展硅纳米晶嵌入式闪存的合作研究,并已在8英寸生产线上完成关键技术。
叶甜春所长(右)向孔蔚然副总裁颁发聘书
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