微电子所微细加工与纳米技术研究室主任刘明研究员领导的下一代非挥发性半导体存储器研究组，2009年在阻变存储器（RRAM）研究领域再获新进展。
该研究组研究撰写的题为“Improvement of Resistive Switching Properties in ZrO2-based ReRAM with Implanted Ti Ions”的研究论文发表在最新一期的国际电子电气工程师协会电子器件领域权威学术期刊《电子器件快报》(IEEE Electron Device letters, 2009, 30(12): 1335-1337)上；题为“Resistive switching properties of Au/ZrO2/Ag structure for low voltage nonvolatile memory applications”的研究论文也已被该刊物接收。此外，今年还在Applied Physics Letters期刊上发表二篇，在Journal of Applied Physics期刊上发表论一篇，已被Nanotechnology期刊所接收一篇。这是该研究组继2008年在IEEE Electron Device letters期刊发表的一篇和Applied Physics Letters期刊发表的三篇关于二元金属氧化物的阻变效应研究论文以来，在该领域取得的又一系列最新进展。
在研究中，刘明研究员领导的研究组基于与CMOS工艺兼容的二元金属氧化物，通过采用适当的掺杂手段和加工工艺、选取适宜的电极材料，通过对阻变机理的深入研究，在提高器件成品率的基础上强化了器件的电阻转变特性和存储性能，从而进一步提升了基于掺杂的二元金属氧化物材料的阻变存储器器件的应用潜力。
阻变存储器（RRAM）的研究工作得到了国家科技重大专项、国家重点基础研究发展计划（973计划）、中国高技术研究发展计划（863计划）和国家自然科学基金的支持，微电子所将在目前的基础上继续研究突破，争取更大的进步。
2009年在阻变存储器RRAM领域已发表和已被接收的论文：
1. Qi Liu, Shibing Long, Wei Wang, Qingyun Zuo, Sen Zhang, Junning Chen, Ming Liu. Improvement of Resistive Switching Properties in ZrO2-based ReRAM with Implanted Ti Ions. IEEE Electron Device Letters, 2009, 30(12): 1335-1337
2. Yingtao Li, Shibing Long, Manhong Zhang, Qi Liu, Sen Zhang, Yan Wang, Qingyun Zuo, Su Liu, and Ming Liu. Resistive switching properties of Au/ZrO2/Ag structure for low voltage nonvolatile memory applications. IEEE Electron Device Letters, accepted
3. Qi Liu, Chunmeng Dou, Yan Wang, Shibing Long, Wei Wang, Ming Liu, Manhong Zhang, and Junning Chen. Formation of multiple conductive filaments in the Cu/ZrO2 :Cu/Pt device. Applied Physics Letters, 95, 023501, 2009
4. Ming Liu, Z. Abid, Wei Wang, Xiaoli He, Qi Liu, and Weihua Guan. Multilevel resistive switching with ionic and metallic filaments. Applied Physics Letters, 94, 233106 (2009)
5. Qingyun Zuo, Shibing Long, Qi Liu, Sen Zhang, Qin Wang, Yingtao Li, Yan Wang, and Ming Liu. Self-rectifying effect in gold nanocrystal-embedded zirconium oxide resistive memory. Journal of Applied Physics, 106, 073724 (2009)
6. Yan Wang, Qi Liu, Shibing Long, Wei Wang, Qin Wang, Manhong Zhang, Sen Zhang, Yingtao Li, Qingyun Zuo, Jianhong Yang and Ming Liu. Investigation of resistive switching in Cu-doped HfO2 thin film for multilevel non-volatile memory applications. Nanotechnology, accepted
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