1G位独立式NOR型闪存芯片研究取得突破

　　日前，中科院微电子所联合清华大学、北京大学在1G位独立式NOR型闪存芯片研究上取得突破。

　　移动通讯等信息技术的迅猛发展加剧了对海量信息高速存取的需求。然而，大容量高速闪存芯片设计技术一直是我国存储芯片设计面临的主要技术瓶颈，我国存储企业依赖国外技术授权进行小容量嵌入式闪存产品设计的格局未发生改变。为此，在国家科技重大专项02专项的支持下，中科院微电子所纳米加工与新器件集成技术研究室（三室）携手清华大学、北京大学相关研究部门在国内率先开展了1G位独立式NOR型闪存芯片设计关键技术研发工作。

　　科研人员基于中芯国际在研的最新65纳米NOR型闪存工艺，经过艰苦攻关，突破了闪存芯片进入大容量后在字线/位线译码、高压、灵敏放大等关键技术模块方面的技术障碍，最终完成了1Gb NOR型闪存芯片的自主设计、流片、封装和测试工作，研发的1G闪存芯片顺利通过了机台级关键电路模块测试并成功实现了系统级存储功能演示。

　　该项研究成果填补了我国在大容量NOR型闪存芯片研究方面的技术空白，也为后65纳米大容量NOR型闪存芯片的发展奠定了重要基础。