微电子所在高可靠技术领域取得突破性进展

　　近日，微电子所中国科学院硅器件技术重点实验室在高可靠技术领域取得突破性进展。

　　近年来，重点实验室与微电子所先导中心、中科院新疆理化所等所内外科研单位合作，在FinFET器件、DSOI器件和VDMOS器件抗辐照性能上进行了深入研究。研究表明，在导通偏置下的辐照过程中，体硅FinFET展现出高抗总剂量辐射能力，辐照诱发阈值电压增大、跨导增加并改善了其亚阈值特性，引起“反向”的辐照后室温退火效应。相同工艺下的新型DSOI器件结构将SOI抗总剂量效应能力提高了1到2个数量级，而对电离辐照效应不敏感的复合电荷平衡终端结构，提高了电荷平衡VDMOS器件的抗总剂量辐照能力，这两种结构为高剂量下器件总剂量辐照加固提供了解决方案。

　　基于上述研究成果，重点实验室向2017 RADECS投送的3篇学术研究论文均被录用，并受邀参加了2017年10月在瑞士日内瓦举办的2017 RADECS国际学术大会。其中，重点实验室助理研究员杨玲的论文“Anomalous Total Dose Response and Room-Temperature Annealing Behavior in Bulk nFinFETs”受邀作了大会报告。这是中国科学院的科研团队首次受邀在该国际会议上作大会报告，也是本次大会唯一受邀作大会报告的中国科研团队。重点实验室助理研究员黄杨、副研究员宋李梅的论文“An Effective Method to Compensate TID Induced Degradation on DSOI Structure”和“A Novel Combined Charge Balance Termination Structure Insensitive to Ionizing Radiation Effect”在会议期间进行了海报展示并同与会代表进行了深入交流。

　　RADECS会议是关于空间辐射及其对材料、器件和系统影响的顶级国际会议，现已成为器件抗辐射领域的年度学术盛会。2017年度RADECS会议，中国学术文章数量首次位列第3名，表示中国在该学术领域的科研成果受到国际同行的广泛关注和认可，中国在这领域的相关影响力在不断地增强！