所况介绍
中国科学院微电子研究所（以下简称“微电子所” ）成立于1958年，是我国微电子科学技术与集成电路领域的重要研发机构。微电子所是国务院学位委员会批准的博士、硕士学位授予权单位之一，是中国科学院大学集成电路学院主承办单位，现设有集成电路科学与工程、电子科学...
所长、党委书记：戴博伟 党委副书记、纪委书记：谢光锋 副所长：曹立强 副所长：李泠 副所长：罗军
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近日，中国科学院微电子研究所研究员Henry Radamson和副研究员王桂磊在先导中心8寸平台上成功制造绝缘体上张应变锗（TSGOI）晶圆。该项技术突破，实现了工艺过程中对Ge的诱导应变微调，使Ge的带隙改变为0.7eV。以此类Ge衬底制备的PMOS器件实现了506cm2V-1s-1的高空穴迁移率。这一成果为微电子学和光子学的单片集成提供了新的路径和解决方案。
TSGOI晶圆的俯视图及其横截面
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